【廣告】
濺射鍍膜機(jī)濺射鍍技術(shù)優(yōu)點(diǎn)
濺射鍍膜機(jī)濺射鍍技術(shù)應(yīng)用 蒸發(fā)和磁控濺射兩用立式裝飾鍍膜機(jī),主要適用于塑料、陶瓷、玻璃金屬材料表面鍍制金屬化裝飾膜。由于鍍膜室為立式容器,所以它具有臥式鍍膜機(jī)的一切優(yōu)點(diǎn), 又利于自重較大的、易碎的鍍件裝卡,更可方便地實(shí)現(xiàn)自動(dòng)生產(chǎn)線,是替代傳統(tǒng)濕法水電鍍的更為理想的新一代真空鍍膜設(shè)備。本機(jī)鍍部分產(chǎn)品可不做底油。靶zhong毒的影響因素影響靶zhong毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例,反應(yīng)氣體過(guò)量就會(huì)導(dǎo)致靶zhong毒。本機(jī)主 要特點(diǎn)配用改進(jìn)型高真空排氣系統(tǒng),抽速快、、節(jié)電、降噪和延長(zhǎng)泵使用壽命;實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)、磁控濺射、自動(dòng)控制,操作簡(jiǎn)單,工作可靠。
想要了解更多磁控濺射鍍膜機(jī)的相關(guān)信息,歡迎撥打圖片上的熱線電話!
關(guān)于磁控濺射鍍膜機(jī)知識(shí)!
以下內(nèi)容由創(chuàng)世威納為您提供,今天我們來(lái)分享 磁控濺射鍍膜機(jī)的相關(guān)內(nèi)容,希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助!
磁控濺射鍍膜儀用高能粒子轟擊固體表面時(shí)能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面,沉積在基片上。
電子在電場(chǎng)E的作用下,在飛向基片過(guò)程中與ya原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子借助于靶表面上形成的正交電磁場(chǎng),被束縛在靶表面特定區(qū)域,增強(qiáng)電離效率,增加離子密度和能量,從而實(shí)現(xiàn)高速率濺射。是制備低維度,小尺寸納米材料器件的實(shí)驗(yàn)手段,廣泛應(yīng)用于集成電路,光子晶體,低維半導(dǎo)體等領(lǐng)域。在安全防護(hù)鍍層中的運(yùn)用:飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)的葉子、小車厚鋼板、散熱器等。
1、磁控濺射和電阻蒸發(fā)雙應(yīng)用。本機(jī)采用可磁控濺射與電阻蒸發(fā)免拆卸轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),可快速實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)源的轉(zhuǎn)換。
2、桌面小型一體化結(jié)構(gòu)。本機(jī)對(duì)真空腔體、鍍膜電源及控制系統(tǒng)進(jìn)行整合設(shè)計(jì),體積與一臺(tái)A3 打印機(jī)相仿(不包含真空機(jī)組,480x320x460mm,寬X 高X 深)
我國(guó)真空鍍膜機(jī)行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和前景分析
創(chuàng)世威納——專業(yè)真空鍍膜機(jī)供應(yīng)商,我們?yōu)槟鷰?lái)以下信息。
真空鍍膜技術(shù)是一種新穎的材料合成與加工的新技術(shù),是表面工程技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。隨著全球制造業(yè)高速發(fā)展,真空鍍膜技術(shù)應(yīng)用越來(lái)越廣泛。適合鍍制透明膜、半透明膜、超硬膜、屏蔽膜及一些特殊的功能性膜。從半導(dǎo)體集成電路、LED、顯示器、觸摸屏、太陽(yáng)能光伏、化工、制藥等行業(yè)的發(fā)展來(lái)看,對(duì)真空鍍膜設(shè)備、技術(shù)、材料需求都在不斷增加,包括制造大規(guī)模集成電路的電學(xué)膜;數(shù)字式縱向與橫向均可磁化的數(shù)據(jù)紀(jì)錄儲(chǔ)存膜;充分展示和應(yīng)用各種光學(xué)特性的光學(xué)膜;計(jì)算機(jī)顯示用的感光膜;TFT、PDP平面顯示器上的導(dǎo)電膜和增透膜;建筑、汽車行業(yè)上應(yīng)用的玻璃鍍膜和裝飾膜;包裝領(lǐng)域用防護(hù)膜、阻隔膜;裝飾材料上具有各種功能裝飾效果的功能膜;工、模具表面上應(yīng)用的耐磨超硬膜;納米材料研究方面的各種功能性薄膜等。
磁控濺射原理
濺射過(guò)程即為入射離子通過(guò)--系列碰撞進(jìn)行能量和動(dòng)量交換的過(guò)程。
電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與Ar原子發(fā)生碰撞,電離出大量的Ar離子和電子,電子飛向基片,在此過(guò)程中不斷和Ar原子碰撞,產(chǎn)生更多的Ar離子和電子。Ar離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。在運(yùn)用該機(jī)理開發(fā)磁控膜的過(guò)程中,要注意以下幾個(gè)問(wèn)題:①保證整體工藝中各個(gè)環(huán)節(jié)的可靠性。
想了解更多關(guān)磁控濺射的相關(guān)資訊,請(qǐng)持續(xù)關(guān)注本公司。