CMP技術(shù)的概念是1965年由Manto提出。該技術(shù)是用于獲取高質(zhì)量的玻璃表面，如望遠(yuǎn)鏡等。1988年IBM開(kāi)始將CMP技術(shù)運(yùn)用于4MDRAM 的制造中，而自從1991年IBM將CMP成功應(yīng)用到64MDRAM 的生產(chǎn)中以后，CMP技術(shù)在世界各地迅速發(fā)展起來(lái)。區(qū)別于傳統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)的拋光方法，CMP通過(guò)化學(xué)的和機(jī)械的綜合作用，從而避免了由單純機(jī)械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點(diǎn)。它利用了磨損中的“軟磨硬”原理，即用較軟的材料來(lái)進(jìn)行拋光以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。

使用方法：1． 使用 工藝處理濃度: 建議控制條件 理想值Risr- B709 原液使用 原液使用處理溫度 &nbs p; 65-75℃ 70℃處理方法 &nbs p; 攪拌浸泡處理時(shí)間 &nbs p; 5-10分鐘 5min注：使用前 采用恒溫加熱35℃和均勻的攪拌，建議采用石英加熱器加熱。2． 處理流程工件脫脂 水洗 侵入化拋劑 清洗（2-3次） 烘干或后處理工序。建 ?。?、清槽 建議使用鋼體結(jié)構(gòu)內(nèi)襯PP或PE材料，首先使用 堿液清洗后再使用鹽酸清洗，再用清水清洗2-3遍，后使用純水清洗一遍；2、配制 原液使用。廢水處理：廢水處理按常規(guī)化學(xué)品處理，同時(shí)應(yīng)遵循 有關(guān)的化學(xué)應(yīng)用規(guī)則，注意事項(xiàng)：在接觸化學(xué)品時(shí)，必須閱讀、理解和遵循MSDS上 的急救和處理建議。貯存時(shí)注意：貯存處應(yīng)陰涼、干燥、避光。

注意事項(xiàng)根據(jù)我公司長(zhǎng)時(shí)間對(duì)拋光工藝的摸索與實(shí)踐，光亮劑在拋光液中幾乎消耗相當(dāng)細(xì)微，因此時(shí)視具體的情況配比補(bǔ)加光亮劑，新配拋光溶液拋光時(shí)間要短；溫度偏高時(shí)，拋光時(shí)間要短些，若拋光2min以上仍不光亮?xí)r，可觀察拋光時(shí)液面泡沫的多少，酌情添加光亮劑，泡沫少時(shí)可按適當(dāng)比例添加部份光亮劑，泡沫多時(shí)只要按比例加入磷酸和硫酸即可。生產(chǎn)一段時(shí)間后的溶液呈乳白色且粘度大，所以化學(xué)拋光后的產(chǎn)品需要反復(fù)清洗，否則酸液殘留于工件表面將會(huì)導(dǎo)致表面產(chǎn)生白霜點(diǎn)。

依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對(duì)硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）機(jī)理、動(dòng)力學(xué)控制過(guò)程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個(gè)復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個(gè)動(dòng)力學(xué)過(guò)程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。（2）拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過(guò)程使未反應(yīng)的硅單晶重新出來(lái)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過(guò)程。硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過(guò)程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過(guò)程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。