影響離子鍍膜層質(zhì)量的工藝參數(shù)

①基片偏壓.

離子鍍膜基片施加負偏壓后；各種離子和高能中性粒子流以較高的能量轟擊基片表面．基片負偏壓的提高，會使基片表面獲得更高的能量，可能形成偽擴散層，提高膜層與基體的附著力，還可以改變膜層的組織、結(jié)構(gòu)和性能，如細化晶粒，圖2表明，隨著基片負偏壓的提高，膜層組織變細，但是，基片負偏壓的提高也會產(chǎn)生一些不利的影響，如反濺射作用的增加，使膜層表面受到刻蝕，使表面光潔程度降低，圖3表明了空心陰極離子鍍鉻時，基片負偏壓對鉻膜表面光澤度的影響，基片負偏壓的提高還會使沉積速率降低，使基片溫度升高，圖4表明了電弧離子鍍tin膜基片負偏壓對沉積速率的影響，因此，應(yīng)根據(jù)不同的離子鍍方法、不同的膜層及使用要求選擇適當?shù)幕撈珘骸?

②鍍膜真空度和反應(yīng)氣體分壓.

離子鍍膜真空度對膜層組織、性能的影響與真空蒸鍍時的影響規(guī)律相似，但反應(yīng)氣體分壓對反應(yīng)離子鍍鍍制化合物膜的成分、結(jié)構(gòu)和性能有直接的影響，圖5是hcd離子鍍tin膜的硬度與氮氣分壓的關(guān)系，因此反應(yīng)氣體的分壓應(yīng)根據(jù)離子鍍方法，化合物膜層的成分、性質(zhì)、使用要求以及設(shè)備來選擇

③基片溫度.

離子鍍膜基片溫度的高低直接影響著膜層的組織、結(jié)構(gòu)和性能。一般情況下，溫度的升高有利于提高膜層與基片的附著力，有利于改善膜層的組織與性能。但是，溫度過高，則會使沉積速率降低，有時還會使膜層晶粒粗大，性能變壞；圖6中hcd離子鍍鉻膜顯微硬度受基片溫度影響的規(guī)律。另外，基片溫度的選擇還要受基片材料性質(zhì)的限制，如鋼材的回火溫度等

④蒸發(fā)源功率．

蒸發(fā)源功率對蒸發(fā)速率有直接的影響，進而影響沉積速率，影響膜層的組織、性能，對反應(yīng)沉積化合膜時蒸發(fā)源功率也將影響膜層的成分。

為了獲得所需性能的膜層，應(yīng)綜合分析、考慮各種因素，迭擇鍍膜方法和確定合理的鍍膜工藝參數(shù)。

真空鍍膜機PVD鍍膜常規(guī)知識介紹

真空鍍膜機PVD技術(shù)可以應(yīng)用到海上用品、首飾、工藝品、門窗五金、廚衛(wèi)五金、燈具、海上用品、首飾、工藝品，及其它裝飾性制品的加工制造，應(yīng)用是非常的廣泛，很多客戶采購設(shè)備時，對這方面的相關(guān)知識也是非常的感興趣，今天至成真空小編，為大家介紹一下真空鍍膜機PVD鍍膜常規(guī)知識，希望能幫助大家提升相關(guān)知識和技能。

PVD鍍膜(離子鍍膜)技術(shù)，其具體原理是在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù)，利用氣體放電使靶材蒸發(fā)并使被蒸發(fā)物質(zhì)與氣體都發(fā)生電離，利用電場的加速作用，使被蒸發(fā)物質(zhì)及其反應(yīng)產(chǎn)物沉積在工件上。

PVD鍍膜膜層的特點,采用PVD鍍膜技術(shù)鍍出的膜層，具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系數(shù))、很好的耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性等特點，膜層的壽命更長;同時膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。

真空鍍膜機PVD鍍膜技術(shù)目前主要應(yīng)用的行業(yè),PVD鍍膜技術(shù)的應(yīng)用主要分為兩大類：裝飾鍍膜和工具鍍膜。裝飾鍍的目的主要是為了改善工件的外觀裝飾性能和色澤同時使工件更耐磨耐腐蝕延長其使用壽命;這方面主要應(yīng)用五金行業(yè)的各個領(lǐng)域，如門窗五金、鎖具、衛(wèi)浴五金等行業(yè)。工具鍍的目的主要是為了提高工件的表面硬度和耐磨性，降低表面的摩擦系數(shù)，提高工件的使用壽命;這方面主要應(yīng)用在各種刀剪、車削刀具(如車刀、刨刀、銑刀、鉆頭等等)、各種五金工具(如螺絲刀、鉗子等)、各種模具等產(chǎn)品中

中頻磁控濺射真空鍍膜機鍍膜技術(shù)介紹

很多人不知道，磁控濺射真空鍍膜機鍍膜技術(shù)也分類型的，鍍的產(chǎn)品不一樣，使用的磁控濺射技術(shù)也是有差別，今天至成真空小編為大將講解一下中頻磁控濺射真空鍍膜機鍍膜技術(shù)，希望能幫到大家。

中頻磁控濺射真空鍍膜機鍍膜技術(shù)分靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。不管平衡非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉(zhuǎn)磁場。但旋轉(zhuǎn)磁場需要旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，同時濺射速率要減小。旋轉(zhuǎn)磁場多用于大型或貴重靶。如半導(dǎo)體膜濺射。對于小型設(shè)備和一般工業(yè)設(shè)備，多用磁場靜止靶源。

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。這是因為靶（陰極），等離子體，和被濺零件真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體如陶瓷則回路斷了。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強的電容。這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時接地技術(shù)很復(fù)雜，因而難大規(guī)模采用。為解決此問題，發(fā)明了磁控反應(yīng)濺射。就是用金屬靶，加入Ar氣和反應(yīng)氣體如氮氣或氧氣。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉(zhuǎn)化，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。