真空磁控濺射鍍膜

說白了無(wú)心插柳就是說用荷能物體（一般 用稀有氣體的正離子）去轟擊固態(tài)（下列稱靶材）表層，進(jìn)而造成靶材表層上的分子（或分子結(jié)構(gòu)）從在其中逸出的這種狀況。這一狀況是格洛夫（Grove）于1842年在試驗(yàn)科學(xué)研究陰極浸蝕難題時(shí)，陰極原材料被轉(zhuǎn)移到真空管內(nèi)壁而發(fā)覺的。同時(shí)，經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽(yáng)極時(shí)，已變成低能電子，從而不會(huì)使基片過熱。

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濺射鍍膜技術(shù)

濺射鍍膜濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。通常，利用低壓惰性氣體輝光放電來(lái)產(chǎn)生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成，基片作為陽(yáng)極，真空室中通入0.1-10Pa的Ar或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負(fù)高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。磁控濺射鍍膜的特點(diǎn)1、靶材粒子能量高（比熱蒸發(fā)高出1個(gè)數(shù)量級(jí)），所制備膜層更致密，與石英片結(jié)合力更高：2、一般備有輔助離子源，可以用來(lái)清洗石英片，清洗效果好。電離出的離子轟擊靶表面，使得靶原子濺出并沉積在基片上，形成薄膜。濺射方法很多，主要有二級(jí)濺射、三級(jí)或四級(jí)濺射、磁控濺射、對(duì)靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對(duì)稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。

由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動(dòng)能后飛濺出來(lái)的，因而濺射出來(lái)的原子能量高，有利于提高沉積時(shí)原子的擴(kuò)散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強(qiáng)的附著力。濺射時(shí)，氣體被電離之后，氣體離子在電場(chǎng)作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下，產(chǎn)生的離子數(shù)目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產(chǎn)生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射，影響制膜質(zhì)量。(5)經(jīng)濟(jì)收益高，耗能小盡管原始機(jī)器設(shè)備項(xiàng)目投資很大，但加工工藝成本費(fèi)極低，是這種便宜的工程設(shè)計(jì)方式。另外，靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個(gè)腔體，既會(huì)造成靶材浪費(fèi)，又會(huì)在制備多層膜時(shí)造成各層的污染。

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我國(guó)真空鍍膜機(jī)行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和前景分析

我國(guó)鍍膜機(jī)械，經(jīng)過了幾十年發(fā)展，形成了門類齊全、布局合理，品種配套，真空鍍膜技術(shù)水平與鍍膜工業(yè)發(fā)展基本適應(yīng)的體系，真空鍍膜設(shè)備已經(jīng)不能再叫新行業(yè)了，其是一個(gè)有創(chuàng)新能力的成熟行業(yè)，鍍膜技術(shù)從重污染轉(zhuǎn)為輕污染直至以后的無(wú)污染，創(chuàng)新是前提，隨著更新型節(jié)能環(huán)保的真空機(jī)械設(shè)備研發(fā)必將改變整個(gè)工業(yè)。孿生靶濺射技術(shù)大大提高磁控濺射運(yùn)行的穩(wěn)定性,可避免被毒化的靶面產(chǎn)生電荷積累,引起靶面電弧打火以及陽(yáng)極消失的問題,濺射速率高,為化合物薄膜的工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

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