晶體諧振器與晶體振蕩器的區(qū)別

1，晶體振蕩器的厚度總是高于晶體諧振器。因?yàn)榫w振蕩器內(nèi)部直接置入起振芯片，無(wú)需外部元器件幫助起振，自身可以直接起振。

2，由于晶體振蕩器可以依靠自身起振，因此在電子行業(yè)歸類為主動(dòng)元器件，而晶體諧振器需要依靠外部電容電阻起振，稱之為被動(dòng)元器件。

3，晶體振蕩器種類復(fù)雜繁多，可分為以下幾種：普通振蕩器（SPXO）；溫補(bǔ)振蕩器（TCXO）；壓控振蕩器（VCXO），壓控溫補(bǔ)振蕩器（VC-TCXO）；恒溫振蕩器（OCXO）。而晶體諧振器只有一種，就是自身。

4，晶體振蕩器的精度高于晶體諧振器，因此兩者論性能穩(wěn)定度，莫屬晶體振蕩器出眾。晶體振蕩器中的溫補(bǔ)振蕩器較高精度可達(dá)到0.5ppm，晶體諧振器較高精度只能做到5ppm，且為DIP封裝，SMD封裝較高精度僅僅只有10PPM。

5，無(wú)疑，晶體振蕩器的成本高于晶體諧振器。

其次，晶體與晶振弄混會(huì)導(dǎo)致哪些誤會(huì)。從上文的分析中我們可以得出結(jié)論，被動(dòng)與主動(dòng)的焊接電路是完全不同的，因晶體振蕩器無(wú)需外接電容，晶體諧振器需外接電容電阻，如若兩者混淆采購(gòu)，電路將無(wú)法正常起振。

選擇振蕩器時(shí)需要考慮哪些因素

選擇振蕩器時(shí)需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時(shí)只需不到2mA的電流。在特定的應(yīng)用場(chǎng)合優(yōu)化時(shí)鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。

如何區(qū)分晶體和晶振？

晶體通常為兩腳和四腳晶振，以2520晶振，3225晶振，5032晶振等一類晶振而言，它們都擁有兩腳或者四腳的封裝，晶振為四腳或者四腳以上的，這里可以肯定的一點(diǎn)，兩腳的一定為晶體。那當(dāng)遇到都是四腳的貼片晶振，如何區(qū)分晶體和晶振呢？如果晶體或者晶振在電路板上，我們只需觀察晶振的外部電路是否有其它元器件的連接，如若無(wú)，則為晶振（有源晶振）。如果用肉眼觀察，簡(jiǎn)單而有力的一點(diǎn)則是觀察晶振的厚度，一般的晶體厚度均在0.45mm左右，而由于晶振技術(shù)內(nèi)置起振芯片，因此晶振的厚度要比晶體高。

石英晶體振蕩器的發(fā)展趨勢(shì)

1、小型化、薄片化和片式化：為滿足移動(dòng)電話為代表的便攜式產(chǎn)品輕、薄、短小的要求，石英晶體振蕩器的封裝由傳統(tǒng)的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝轉(zhuǎn)變。例如TCXO這類器件的體積縮小了30～100倍。采用SMD封裝的TCXO厚度不足2mm，目前5×3mm尺寸的器件已經(jīng)上市。

2、高精度與高穩(wěn)定度，目前無(wú)補(bǔ)償式晶體振蕩器總精度也能達(dá)到±25ppm，VCXO的頻率穩(wěn)定度在10～7℃范圍內(nèi)一般可達(dá)±20～100ppm，而OCXO在同一溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定度一般為±0.0001～5ppm，VCXO控制在±25ppm以下。