非曝光區(qū)的光刻膠由于在曝光時(shí)并未發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在顯影時(shí)也就不會(huì)存在這樣的酸堿中和，因此非曝光區(qū)的光刻膠被保留下來。經(jīng)過曝光的正膠是逐漸溶解的，中和反應(yīng)只在光刻膠的表面進(jìn)行，因此正膠受顯影液的影響相對比較小。進(jìn)行顯影的方式有很多種，廣泛使用的方法是噴灑方法。這種顯影方式可以分為三個(gè)階段：硅片被置于旋轉(zhuǎn)臺(tái) 上，并且在硅片表面上噴灑顯影液；然后硅片將在靜止的狀態(tài)下進(jìn)行顯影；顯影完成后，需要經(jīng)過漂洗，之后再烘干。


銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。感光、顯影 感光（爆光）是將菲林放在已經(jīng)噴了感光油的產(chǎn)品上面，主要的目的是通過爆光讓菲林上的圖案在產(chǎn)品上形成，感光（爆光）過程中要特別注意夾具一定要放好，菲林不能歪斜，否則產(chǎn)品圖案就會(huì)出現(xiàn)歪斜現(xiàn)象，從而產(chǎn)生不良品，而菲林也要定期檢查。

蝕刻：蝕刻是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻利用蝕刻液與銅層反應(yīng),蝕去線路板上不需要的銅,得到所要求的線路。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻和干蝕刻兩類。

曝光：經(jīng)光源作用將原始底片上的圖像轉(zhuǎn)移到感光底板上。

蝕刻曝光就是通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。