自動磁控濺射系鍍膜機介紹

以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助。

自動磁控濺射系統(tǒng)選配項：

RF、DC濺射

熱蒸鍍能力

RF或DC偏壓（1000V）

樣品臺可加熱到700°C

膜厚監(jiān)測儀

基片的RF射頻等離子清洗

應(yīng)用：

晶圓片、陶瓷片、玻璃白片以及磁頭等的金屬以及介質(zhì)涂覆

光學(xué)以及ITO涂覆

帶高溫樣品臺和脈沖DC電源的硬涂覆

帶RF射頻等離子放電的反應(yīng)濺射

鍍膜時樣品中間會不均勻什么原因？

途中主要表述是濺射過程中，物質(zhì)的動向圖。并沒有磁控條件限制。

頂部是靶材/陰極；中間為輝光區(qū)域；底部是濺射基體。

靶材和輝光之間為電壓降區(qū)域，給正離子提供足夠能量的電場，正離子加速轟擊到靶材上，使靶材的物質(zhì)濺射出來，沉積到基體上（兩側(cè)的長線）；負離子、電子保持在輝光區(qū)，轟擊氣體原子。

輝光區(qū)發(fā)射出電子、離子、中性原子、光子等，這些組成等離子體（宇宙99%以上的組成物質(zhì)為等離子體）

輝光和基體之間電壓降很小。

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濺射類鍍膜的均勻性取決于什么？

對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，形成薄膜。

濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數(shù)之一。

濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較一般。以pld 為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度 、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。對于不同的濺射材料和基片，較佳的參數(shù)需要實驗確定，是各不相同的，鍍膜設(shè)備的好壞主要在于能否準(zhǔn)確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng) 比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實驗研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的一體式鍍膜機主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司以誠信為首 ,服務(wù)至上為宗旨。公司生產(chǎn)、銷售磁控濺射產(chǎn)品,公司擁有強大的銷售團隊和經(jīng)營理念。想要了解更多信息，趕快撥打圖片上的熱線電話！