碳化硅至少有70種結(jié)晶型態(tài)。α-碳化硅為常見的一種同質(zhì)異晶物，具有六角晶系結(jié)晶構造（似纖維鋅礦）。β-碳化硅，立方晶系結(jié)構，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成，結(jié)構如頁面附圖所示。雖然在異相觸媒擔體的應用上，因其具有比α型態(tài)更高之單位表面積而引人注目，而另一種碳化硅，μ-碳化硅為穩(wěn)定，且碰撞時有較為悅耳的聲音，但直至今日，這兩種型態(tài)尚未有商業(yè)上之應用。目前我國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3。

　　純碳化硅為無色，而工業(yè)生產(chǎn)之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產(chǎn)生之二氧化硅保護層所致。

這種工具用于修整粗糙面是為有效的，綠碳化硅，能夠加工出滿意的平面。成本相對于之前介紹的磨具來說要高一點，但是其加工的性是普通磨具無法比擬的。

　　由碳化硅磨料與樹脂混合固結(jié)而成。有用酚醛類樹脂的壓制類，有與液體樹脂混合后進行的澆注類。

　　主要應用于精磨。壓制類的特點是耐用性好，磨削時的浸潤性好，特別是加工大理石時，磨削的光度好，效率也比較高，但成本相對要高一些，主要用細粒度號。

　　澆注類似用很細的碳化硅微粉及其他材料與樹脂混合澆注出來的磨石，主要應用于花崗巖、水磨石、混凝土拋光。

考慮到當前國內(nèi)的半導體產(chǎn)業(yè)投資基本上進入了國家主導的投資階段，2014年大金的成立開啟了一輪國內(nèi)投資半導體的熱潮，第三代半導體取得技術突破無論是政府資金，還是產(chǎn)業(yè)資本都紛紛進入這個領域。碳化硅與氮為主的材料隨著碳化硅和氮化材料研發(fā)取得進展，中國開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平較低，阻礙國內(nèi)第三代半導體研究進展的重要因素是原始問題。隨著這一“卡脖子”技術的攻克，未來，“大鏡子”將越來越多出現(xiàn)在我國國產(chǎn)大口徑光電裝備上。

碳化硅由于化學性能穩(wěn)定、導熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途低品級碳化硅(含硅約85%)是的脫氧劑，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學成分，提高鋼的質(zhì)量。此外，碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒,碳化硅材料用途十分廣泛，在耐火材料方面碳化硅也是十分有益的材料。拋光過程應分開在兩個工作地點完成，即粗磨加工地點和精拋加工地點分開，而且要注意清洗干凈上一道工序殘留在工件表面的砂粒。由于碳化硅具有較高的熔點（或分解溫度）、化學穩(wěn)定性，因此碳化硅可以被稱為優(yōu)良的耐火材料.