含硅光刻膠

為了避免光刻膠線條的倒塌，線寬越小的光刻工藝，就要求光刻膠的厚度越薄。在20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，光刻膠的厚度已經(jīng)減少到了100nm左右。但是薄光刻膠不能有效的阻擋等離子體對(duì)襯底的刻蝕 [2]  。為此，研發(fā)了含Si的光刻膠，這種含Si光刻膠被旋涂在一層較厚的聚合物材料（常被稱作Underlayer），其對(duì)光是不敏感的。曝光顯影后，利用氧等離子體刻蝕，把光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到Underlayer上，在氧等離子體刻蝕條件下，含Si的光刻膠刻蝕速率遠(yuǎn)小于Underlayer，具有較高的刻蝕選擇性 [2]  。含有Si的光刻膠是使用分子結(jié)構(gòu)中有Si的有機(jī)材料合成的，例如硅氧烷，，含Si的樹(shù)脂等

光刻膠

在曝光過(guò)程中，正性膠通過(guò)感光化學(xué)反應(yīng)，切斷樹(shù)脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯(lián)系，達(dá)到削弱聚合體的目的，所以曝光后的光刻膠在隨后顯影處理中溶解度升高。曝光后的光刻膠溶解速度幾乎是未曝光的光刻膠溶解速度的10倍。而負(fù)性膠，在感光反應(yīng)過(guò)程中主鏈的隨機(jī)十字鏈接更為緊密，并且從鏈下墜物增長(zhǎng)，所以聚合體的溶解度降低。見(jiàn)正性膠在曝光區(qū)間顯影，負(fù)性膠則相反。負(fù)性膠由于曝光區(qū)間得到保留，漫射形成的輪廓使顯影后的圖像為上寬下窄的圖像，而正性膠相反，為下寬上窄的圖像。

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光刻膠分類

根據(jù)化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理的不同，光刻膠可以分為負(fù)性膠和正性膠。對(duì)某些溶劑可溶，但經(jīng)曝光后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠;反之，對(duì)某些溶劑不可溶，經(jīng)曝光后變成可溶的為正性膠。

從需求端來(lái)看，光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠。其中，半導(dǎo)體光刻膠的技術(shù)壁壘較高。

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光刻膠介紹

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光刻膠是電子領(lǐng)域微細(xì)圖形加工關(guān)鍵材料之一，是由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下，其溶解度發(fā)生變化，經(jīng)適當(dāng)溶劑處理，溶去可溶性部分，然后得到所需圖像。 光刻膠作為技術(shù)門檻極高的電子化學(xué)品一直被國(guó)際企業(yè)壟斷。 隨著大力研發(fā)和投入， 國(guó)內(nèi)企業(yè)已逐步從低端 PCB 光刻膠發(fā)展至中端半導(dǎo)體光刻膠的量產(chǎn)。