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?蒸發(fā)結(jié)晶器布置有何講究
1.抽真空:打開真空泵后,發(fā)現(xiàn)真空打不上,應(yīng)檢查各瓶口是否密封好,真空泵自身是否漏氣,放置軸處密封圈是否完好,外接真空管中串聯(lián)一只真空開關(guān)可以提高回收率和蒸發(fā)速度。??
2.加料:利用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器系統(tǒng)真空負(fù)壓,液料可在加料口上用軟管吸入旋轉(zhuǎn)瓶,液料不要超過旋轉(zhuǎn)瓶的一半。本儀器可連續(xù)加料,加料時(shí)需注意:
①關(guān)掉真空泵
②停止加熱
③待蒸發(fā)停止后緩緩打開管旋塞,以防倒流。?
3.加熱:旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器配用專門設(shè)計(jì)的水浴鍋,必須先加水后通電,溫控刻度0-99℃可供參考。由于熱慣性的存在,實(shí)際水溫要比設(shè)定溫度上沖2度左右,使用時(shí)可修正設(shè)定值,如:您需要水溫1/3-1/2。用畢拔去電源插頭。??
4.旋轉(zhuǎn):打開旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器電控箱開關(guān),調(diào)節(jié)旋扭至蒸發(fā)轉(zhuǎn)速。注意避開水浴振波動(dòng),旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器接通冷卻水。?
5.回收溶媒:關(guān)掉真空泵,打開加料開關(guān)放氣,取出收集瓶內(nèi)溶媒。耐腐蝕硫酸氨mvr蒸發(fā)器供求信息,耐腐蝕硫酸氨mvr蒸發(fā)器供求信息
浮熔融結(jié)晶器專業(yè)介紹分析
浮熔融結(jié)晶器專業(yè)講解
采用懸浮熔融結(jié)晶器方式要想得到超純的晶體,必須控制好晶體的生長,得到超純晶體,但是這種方法不可避免的涉及到晶體和溶液(熔融體、母液)之間的分離。99%的晶體里僅僅含有1%的40%濃度的母液,則會(huì)使終產(chǎn)品的純度降到99.4%。所以必須在實(shí)驗(yàn)室里驗(yàn)證固液分離的可靠性和可行性。說明管內(nèi)有人的阻塞物,如木塞、清洗管件用的砂布、棉紗等遺留在管件內(nèi)。好在隨著水洗塔技術(shù)的出現(xiàn),固液可以達(dá)到有效分離,通過該種方式制備超純的晶體是完全的可以實(shí)現(xiàn)的。一般來說,對于懸浮熔融結(jié)晶,過濾或離心分離以及水洗塔步驟是不可避免的。
對于懸浮熔融結(jié)晶器的生產(chǎn)速率主要取決于晶體的生長速率和晶體的表面積。在懸浮式結(jié)晶過程中,晶體的比表面積相當(dāng)大,每立方米內(nèi)晶體的表面積數(shù)量級可以達(dá)到一萬平方米,晶體成長速率較慢,數(shù)量級約為10的負(fù)7次方到10的負(fù)8次方。當(dāng)設(shè)備工作的環(huán)境溫度在0℃以下時(shí),應(yīng)將設(shè)備及其管路內(nèi)的積水放盡,以免凍壞或阻塞管路。雖然晶體生長速率慢,但是由于較大的比表面積,也可以獲得滿意的生產(chǎn)速率。耐腐蝕硫酸氨mvr蒸發(fā)器供求信息
結(jié)晶蒸發(fā)器設(shè)備新工藝流程講述
1. 換熱器的物料性質(zhì)。物料和設(shè)備特性匹配好,當(dāng)然是可用的。
2. 過飽和度控制在介穩(wěn)區(qū)以內(nèi):對于晶體生長,必須嚴(yán)格控制過飽和度的產(chǎn)生和消除。也就是說,將操作保持在介穩(wěn)區(qū)域。對于大多數(shù)產(chǎn)品,可以根據(jù)溶解度和溫度的關(guān)系,粗略控制在過冷度為△T=1-3℃或“允許過冷度”的一半。溶液濃度/飽和濃度=1.02-1.05。若以氯化鈉產(chǎn)品來估算,循環(huán)物料和進(jìn)料之比約在100-200:1之間?!鰿=P/Q,P-晶體產(chǎn)品產(chǎn)量kg/h,Q-循環(huán)泵流量,m3/h, △C-過飽和度,kg/m3。3)每二個(gè)月打開底軸承,檢查底軸承磨損情況,必要時(shí)更換底軸承。強(qiáng)烈建議自己試驗(yàn)測定介穩(wěn)區(qū)寬度,介穩(wěn)區(qū)寬度分為初級成核和二次成核介穩(wěn)區(qū)寬度,工業(yè)化中,主要考慮是二次成核介穩(wěn)區(qū)寬度。文獻(xiàn)上發(fā)表的大多是初級成核介穩(wěn)區(qū)寬度,工業(yè)化過程介穩(wěn)區(qū)寬度控制在初級成核介穩(wěn)區(qū)寬度的10%-30%之間。一般情況下,含有結(jié)晶水的介穩(wěn)區(qū)寬度比無水的無機(jī)物要寬,有機(jī)物系比有機(jī)物系寬。過飽和度不僅僅有大小,還有分布。尤其注意混合、換熱界面、攪拌槳葉附近等過飽和度的大小,機(jī)械混合可以減小亞穩(wěn)區(qū)的寬度。
3. 控制過飽和度水平,使過飽和度主要以生長的方式消耗,避免初級成核,控制二次成核。通常成核晶體的大小為0.1到10微米。
4. 避免清液開車。開車時(shí),加入晶種。比如加入產(chǎn)品量的10%的細(xì)晶種。
5. 晶體生長速率:溶液結(jié)晶大約在0.1-0.8 mm/h ,熔融結(jié)晶比溶液結(jié)晶快1到2個(gè)數(shù)量級。對于大多數(shù)系統(tǒng)來說,10-7m/s的增長速率發(fā)生在30℃左右,但對于NaCl來說,這個(gè)速率直到70℃才會(huì)出現(xiàn)。加熱:旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器配用專門設(shè)計(jì)的水浴鍋,必須先加水后通電,溫控刻度0-99℃可供參考。例如,在10-7m/s的生長速度下,晶體在3小時(shí)內(nèi)生長到2 mm;如果生長速度為10-9m/s,則晶體生長到2 mm需要10天。
6. 過度混合通常會(huì)抑制生長。由于晶體撞擊泵和混合器葉輪的二次“接觸成核”,混合也會(huì)影響晶粒尺寸分布CSD,特別是在反應(yīng)結(jié)晶中。耐腐蝕硫酸氨mvr蒸發(fā)器供求信息