華科智源IGBT電參數(shù)測試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動汽車，風(fēng)力發(fā)電，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。1mJ50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、開通電流上升率di/dt測量范圍：200-10000A/uS 6、開通峰值功率Pon：10W～250kW。測試過程簡單，既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動測試。

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，坐落于改革開放之都-中國深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT首件檢測儀，MOS管直流參數(shù)測試儀，MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀。4 硬件模塊 設(shè)備硬件部分應(yīng)包括測試主機(jī)、測試線纜，測試夾具、控制電腦等 * 1。

測試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向?qū)▔航? 整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。華科智源IGBT測試儀制造標(biāo)準(zhǔn) 華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書的要求外，在其設(shè)計、制造、試驗、檢定等制程中還應(yīng)滿足以下標(biāo)準(zhǔn)的版本。

?航空、電子信息等領(lǐng)域——應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對所應(yīng)用到的元器件，尤其對現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

?機(jī)車、汽車、船舶控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠——應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對所應(yīng)用到的元器件，尤其對

?現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測試測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

?水力、電力控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠——應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對所應(yīng)用到的元器件，尤其對現(xiàn)代新

?型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測試測試、篩選、分析，

?以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。

?優(yōu)勢行業(yè)：電力設(shè)備、地鐵、鐵路動力車組和運(yùn)用大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行設(shè)計、制造的行業(yè)。

3）IGBT飽和壓降/FRD正向?qū)▔航禍y試電路 通態(tài)壓降測試電路 ?電子電力產(chǎn)品生產(chǎn)、檢修廠——應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對所應(yīng)用到的半導(dǎo)體元器件，尤其對現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。高壓充電電源：10~1500V連續(xù)可調(diào) ?支撐電容：額定電壓2kV ?飽和通態(tài)壓降電壓探頭精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?柵極電壓輸出要求：5～25V±1%±0.01V ?集電極電流測試設(shè)備精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A ?測試脈沖寬度：0.1~1ms可設(shè)定 4）柵極漏電流測試電路 柵極漏電流測試電路 ?可調(diào)電源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V； ?小電流測量設(shè)備精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?柵極電壓Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?脈沖時間：40~100ms可設(shè)定