壓控振蕩器在射頻通信電路中的應(yīng)用

隨著現(xiàn)代通信系統(tǒng)和現(xiàn)代雷達(dá)系統(tǒng)的出現(xiàn),射頻電路需要在特定的載波頻率點上建立穩(wěn)定的諧波振蕩,以便為調(diào)制和混頻創(chuàng)造必要的條件.設(shè)計了一個振蕩頻率在1.14～1.18 GHz的負(fù)阻LC壓控振蕩器,實現(xiàn)了壓控振蕩器的寬調(diào)頻,使頻率范圍達(dá)到40 MHz.并且為避免在外部電路對壓控振蕩器(VCO)的影響,在電路中加入射極跟隨器作為buffer,起到阻抗變換和級間隔離的作用.為負(fù)阻LC壓控振蕩器的設(shè)計提供了一種參考電路.

鎖相環(huán)電路中壓控振蕩器的SET響應(yīng)研究

空間輻射環(huán)境中的鎖相環(huán)在SET作用下,將產(chǎn)生頻率或相位偏差,甚至導(dǎo)致振蕩中止,造成通信或功能中斷。壓控振蕩器是鎖相環(huán)中的關(guān)鍵電路,也是對SET敏感的部件之一。本文基于工藝校準(zhǔn)的器件模型,采用TCAD混合模擬的方法,針對180nm體硅CMOS工藝下高頻鎖相環(huán)中的壓控振蕩器,研究了偏置條件、入射粒子的能量以及溫度對壓控振蕩器SET響應(yīng)的影響,通過分析失效機(jī)理,以指導(dǎo)抗輻照壓控振蕩器的設(shè)計。研究結(jié)果表明,當(dāng)器件工作在截止區(qū)時,入射粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差小;壓控振蕩器的輸出時鐘錯誤脈沖數(shù)隨著入射粒子LET的增加而線性增加;隨著器件工作溫度的升高,轟擊粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差也是增大的。

如何選擇壓控晶體振蕩器？

有源石英晶體振蕩器分為普通振蕩器，溫補振蕩器TCXO，壓控振蕩器VCXO，恒溫振蕩器OCXO等等，從使用數(shù)量來看普通振蕩器和溫補振蕩器可觀，一個代表通用型，一個代表頻率高精度型；而壓控和恒溫市場需求相對較少，但是從選型難易程度看，恒溫雖然代表著更高的技術(shù)要求，很多指標(biāo)要求從設(shè)計上已經(jīng)達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)，所以在選擇上相對簡單，而壓控晶振它牽涉到更多的性能指標(biāo)，不同性能指標(biāo)其用法及成本均有很大的差異，所以在這里對壓控晶振的選型做相關(guān)的介紹 。