光刻膠工藝

主要用于半導(dǎo)體圖形化工藝，是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的重要步驟。光刻工藝?yán)没瘜W(xué)反應(yīng)原理把事先制備在掩模上的圖形轉(zhuǎn)印到晶圓，完成工藝的設(shè)備光刻機(jī)和光刻膠都是占半導(dǎo)體芯片工廠資產(chǎn)的大頭。

在目前比較主流的半導(dǎo)體制造工藝中，一般需要40 步以上獨(dú)立的光刻步驟，貫穿了半導(dǎo)體制造的整個(gè)流程，光刻工藝的先進(jìn)程度決定了半導(dǎo)體制造工藝的先進(jìn)程度。光刻過(guò)程中所用到的光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造中的核心設(shè)備。目前，ASML 的NXE3400B售價(jià)在一億歐元以上，媲美一架F35 戰(zhàn)斗機(jī)。

按曝光波長(zhǎng)，光刻膠可分為紫外（300~450 nm）光刻膠、深紫外（160~280 nm）光刻膠、極紫外（EUV，13.5 nm）光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。按照應(yīng)用領(lǐng)域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示（LCD）用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB光刻膠技術(shù)壁壘相對(duì)其他兩類較低，而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)先進(jìn)水平。

微流控芯片硅片模具加工如何選擇光刻膠呢？

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一般來(lái)說(shuō)線寬的用正膠,線窄的用負(fù)膠，正性光刻膠比負(fù)性的精度要高，負(fù)膠顯影后圖形有漲縮，負(fù)性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導(dǎo)致影響精度，正性膠則無(wú)這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負(fù)性膠的分辨率，但是薄負(fù)性膠會(huì)影響。同種厚度的正負(fù)膠，在對(duì)于抗?jié)穹ê透g性方面負(fù)膠更勝一籌，正膠難以企及。

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光刻膠市場(chǎng)空間與半導(dǎo)體的分不開。2012-2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模復(fù)合增速8.23%，在全球半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展下，全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)。

而國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，因全球半導(dǎo)體、液晶面板以及消費(fèi)電子等產(chǎn)業(yè)向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移，對(duì)光刻膠需求量迅速增量。

但是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，從全球光刻膠的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，光刻膠市場(chǎng)主要由日韓企業(yè)主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)企業(yè)市場(chǎng)份額集中在低端的PCB光刻膠上，高技術(shù)壁壘的LCD 和半導(dǎo)體光刻膠主要依賴進(jìn)口。根據(jù)某些數(shù)據(jù)顯示，國(guó)內(nèi)光刻膠產(chǎn)值當(dāng)中，PCB光刻膠的占比高達(dá)95%，半導(dǎo)體光刻膠和LCD光刻膠產(chǎn)值占比都僅有2%。

由上分析可知，我國(guó)目前在光刻膠領(lǐng)域急需技術(shù)突破的。