測(cè)試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向?qū)▔航? 整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。

半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外，其各項(xiàng)參數(shù)能否達(dá)到電路上的要求，必須定期測(cè)量，否則產(chǎn)品的質(zhì)量特性很難保證，尤其是較大的功率元件，因具有耗損性，易老化及效率降低，因不平衡導(dǎo)致燒毀，甚至在使用中會(huì)發(fā)生。所以對(duì)新產(chǎn)品及使用中的元件參數(shù)的篩選及檢查更為重要。 半導(dǎo)體元件的每一個(gè)參數(shù)，依其極性的不同，都須要一個(gè)獨(dú)特的測(cè)量電路，我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，具有一組繼電器形成的矩陣電路，依每個(gè)參數(shù)的定義，形成千變?nèi)f化的電路，再依元件的出廠規(guī)格加上額定的電流或電壓后，在極短的時(shí)間內(nèi)將所須要的數(shù)據(jù)量測(cè)出來(lái)，且有些參數(shù)從量測(cè)的數(shù)據(jù)經(jīng)快速運(yùn)算即可得知其特性是否在規(guī)定范圍內(nèi)。1開關(guān)時(shí)間測(cè)試單元技術(shù)條件 開通時(shí)間測(cè)試參數(shù)： 1、開通時(shí)間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時(shí)間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時(shí)間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量：0。

測(cè)試參數(shù)多且完整、應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，但只要使用其基本的2項(xiàng)功能：「開啟」電流壓降，「關(guān)閉」電流的漏電流，就可知道大功半導(dǎo)體有沒(méi)有老化的現(xiàn)象。

?可移動(dòng)型儀器，使用方便，測(cè)試簡(jiǎn)單快速，立即提供測(cè)試結(jié)果與數(shù)值。

?適用的半導(dǎo)體元件種類多，尤其能測(cè)大功率元件。

?用戶能確實(shí)掌握新采購(gòu)元件的質(zhì)量，避免用到瑕疵或品。

?完全由計(jì)算機(jī)控制、快速的設(shè)定參數(shù)。

?適用于實(shí)驗(yàn)室和老化篩選的測(cè)試。

?操作非常簡(jiǎn)單、速度快。

?完全計(jì)算機(jī)自動(dòng)判斷、自動(dòng)比對(duì)。

2.7測(cè)試夾具 1、控制方式：氣動(dòng)控制 2、控溫范圍：室溫—150℃ 室溫—125℃±1.0℃±3% 125—150℃±1.5℃±3% 3、電源：交流50HZ，220V，功率不大于1000W 4、夾具能安裝不同規(guī)格的適配器，以測(cè)試不同規(guī)格的器件，不同模塊需要配備不同的適配器，設(shè)備出廠時(shí)配備62mm封裝專用測(cè)試夾具、EconoPACK3封裝專用測(cè)試夾具、34mm封裝專用測(cè)試夾具各一套，但需甲方提供適配器對(duì)應(yīng)器件的外形圖；每個(gè)電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用。 2.8環(huán)境要求 環(huán)境溫度：15～35℃ 相對(duì)濕度：小于70% 大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa 壓縮空氣：不小于0.4MPa 電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無(wú)嚴(yán)重諧波，三線制 電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz