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發(fā)布時(shí)間:2020-07-22 09:05  





















導(dǎo)致靶面各單元的電阻值不同。與較亮像素對應(yīng)的靶單元阻值較小,與較暗像素對應(yīng)的靶單元阻值較大,這樣一幅圖像上各像素的不同亮度就表現(xiàn)為靶面上各單元的不同電阻值,原來按照明暗分布的“光像”就變成了相應(yīng)的“電像”。其主要參數(shù)有響應(yīng)度(靈敏度)、光譜響應(yīng)范圍、響應(yīng)時(shí)間和可探測的最1小輻射功率等。從電子槍陰極發(fā)出的電子,在電子槍電場作用下高速射向靶面,并在偏轉(zhuǎn)磁場作用下按照掃描規(guī)律掃過靶面上的各個(gè)單元。當(dāng)電子束接觸到靶面某個(gè)單元時(shí),使陰極、光電靶、負(fù)載電阻RL及電源E構(gòu)成一個(gè)回路。





















光電效應(yīng)當(dāng)電子從外界獲得能量時(shí)將會跳到較高的能階,獲得的能量越多跳的能階也越高,電子處在較高的能階時(shí)并不穩(wěn)定,很快就會把獲得的能量釋放回到原來的能階。如果電子獲得的能量夠高就擺脫原子核的束縛成為自由電子,電子空出來的位置則稱為空穴。此外,化合物半導(dǎo)體材料、非晶硅薄膜作為光電轉(zhuǎn)換材料,也得到研究和應(yīng)用。自由電子可能會因?yàn)槟Σ粱蚺鲎驳纫蛩負(fù)p失能量,后受到空穴的吸引而復(fù)合。例如,硅的外層電子要成為自由電子需要吸收1.1ev的能量,當(dāng)硅外層電子吸收到的光能量超過1.1ev時(shí)將會產(chǎn)生自由電子及空穴



















1、用戶太陽能電源:用于邊遠(yuǎn)無電地區(qū),如高原、海島、牧區(qū)、邊防哨所等軍民生活用電,如照明、電視、收錄機(jī)等;3-5kw家庭屋頂并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng);N型半導(dǎo)體中自由電子濃度較高,因此自由電子由N型半體向P型半導(dǎo)體擴(kuò)散,同樣的空穴會由P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體擴(kuò)散。光伏水泵,解決無電地區(qū)的深水井飲用、灌溉;2、交通領(lǐng)域:如航標(biāo)燈、交通、鐵路信號燈、交通站、光纜維護(hù)站、廣播、通訊、尋呼電源系統(tǒng)、農(nóng)村微波電話光伏系統(tǒng)、小型通信機(jī)、士兵供電等;3、石油、海洋、氣象領(lǐng)域:石油管道和水庫閘門陰極保護(hù)太陽能 電源系統(tǒng)、石油鉆井平臺生活及應(yīng)急電源、海洋檢測設(shè)備、氣 象/水文觀測設(shè)備等;




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