制作光敏電阻的材料主要有硅、鍺、硫化1鎘、銻化銦、硫化鉛、硒化鎘、硒化鉛等。硫化1鎘光敏電阻對可見光敏感,用硫1化鎘單晶制造的光敏電阻對X射線、γ射線也敏感；硫化鉛和銻化銦對紅線外線光敏感。利用這些光敏電阻可以制成各種光探測器。感光面積大的光敏電阻,可以獲得較大的明暗電阻差。擴散過程中，一部分電子和空穴復(fù)合消失,大部分擴散到PN結(jié)邊緣。如國產(chǎn)625-A型硫化1鎘光敏電阻,其光照電阻小于50千歐,暗電阻大于50兆歐。2、光電二極管光電二極管的管芯也是一個PN結(jié),只是結(jié)面積比普通二極管大,便于接收光線。

但和普通二極管不同,光電二極管是在反向電壓下工作的。它的暗電流很小，只有0-1微安左右。在光線照射下產(chǎn)生的電子----空穴對叫光生載流子，它們參加導(dǎo)電會增大反向飽和電流。[4]太陽能電池材料選取光照射在物質(zhì)上時，部份的光會被物質(zhì)吸收，部份的光則經(jīng)由反射或穿透等方式離開物質(zhì)，選取太陽光電池材料的第1考量就是吸光效果要很好，如此才能使輸出功率增加。光生載流子的數(shù)量與光強度有關(guān)，因此，反向飽和電流會隨著光強的變化而變化，從而可以把光信號的變化轉(zhuǎn)為電流及電壓的變化。光電二極管主要用于近紅外探測器及光電轉(zhuǎn)換的自動控制儀器中，還可以作為光導(dǎo)纖維通信的接1收器件。

光電控制器件----用作光電開關(guān)等光電控制設(shè)備的轉(zhuǎn)換器件。三、半導(dǎo)體發(fā)光器件半導(dǎo)體發(fā)光器件是一種將電能轉(zhuǎn)換成光能的器件。它包括發(fā)光二極管、紅外光源、半導(dǎo)體發(fā)光數(shù)字管等。1、發(fā)光二極管發(fā)光二極管的管芯也是一個PN結(jié),并具有單向?qū)щ娦浴Ｖ谱鞴饷綦娮璧牟牧现饕泄?、鍺、硫化1鎘、銻化銦、硫化鉛、硒化鎘、硒化鉛等。PN結(jié)加上正向電壓時,電子由N區(qū)渡越(擴散)到空間電荷區(qū)與空穴復(fù)合而釋放出能量。這些能量大部分以發(fā)光的形式出現(xiàn)，因此，可以直接將電能轉(zhuǎn)換成光能。

如果入射光強度太高，導(dǎo)致器件內(nèi)電流太大，以至于電陰極和倍增極因發(fā)射二分解，就會造成光電倍增管的永1久性波壞。因此，使用光電倍增管時，應(yīng)避免強光直接入射。光電倍增管一般用來測弱光信號。光電池是把光能直接變成電能的器件，可作為能源器件使用，如衛(wèi)1星上使用的太陽能電池。PN結(jié)加上正向電壓時,電子由N區(qū)渡越(擴散)到空間電荷區(qū)與空穴復(fù)合而釋放出能量。它也可作為光電子探測器件。光電二極管有耗盡層光電二極管和雪崩光電二極管兩種。半導(dǎo)體pn結(jié)區(qū)附近成為耗盡層，該層的兩側(cè)是相對高的空間電荷區(qū)，而耗盡層內(nèi)通常情況下并不存在電子和空穴。