什么是蝕刻機(jī)

或許在很多人看來(lái)，刻蝕技術(shù)并不如光刻機(jī)那般“”，但刻蝕在芯片的加工和生產(chǎn)過(guò)程中同樣不可或缺?？涛g機(jī)主要工作是按照前段光刻機(jī)“描繪”出來(lái)的線路來(lái)對(duì)晶片進(jìn)行更深入的微觀雕刻，刻出溝槽或接觸孔，然后除去表面的光刻膠，從而形成刻蝕線路圖案。

在芯片制造領(lǐng)域，光刻機(jī)像是前端，而蝕刻機(jī)就是后端。光刻機(jī)的作用是把電路圖描繪至覆蓋有光刻膠的硅片上，而蝕刻機(jī)的作用就是按照光刻機(jī)描繪的電路圖把硅片上其它不需要的光刻膠腐蝕去除，完成電路圖的雕刻轉(zhuǎn)移至硅片表面。兩者一個(gè)是設(shè)計(jì)者，一個(gè)是執(zhí)行者，整個(gè)芯片生產(chǎn)過(guò)程中，需要重復(fù)使用兩種設(shè)備，直至將完整的電路圖蝕刻到硅晶圓上為止。

目前，我國(guó)在蝕刻機(jī)領(lǐng)域已達(dá)到世界先進(jìn)水平，尤其是中微半導(dǎo)體成功突破研制的5nm蝕刻機(jī)已于其它企業(yè)，而且得到了臺(tái)積電的驗(yàn)證。真正面臨技術(shù)挑戰(zhàn)，也是被卡脖子的領(lǐng)域是光刻機(jī)。不過(guò)日前中科院院長(zhǎng)白春禮表示，已將光刻機(jī)等技術(shù)難度較高的產(chǎn)品列入科研清單，未來(lái)將集中力量對(duì)這些“卡脖子”的技術(shù)進(jìn)行攻關(guān)。相信未來(lái)光刻機(jī)技術(shù)也會(huì)實(shí)現(xiàn)重大突破。

蝕刻機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別

這倆設(shè)備非常簡(jiǎn)單的表述便是光刻機(jī)把原理圖投射到遮蓋有光刻膠的硅片上邊，刻蝕機(jī)再把剛剛畫(huà)了原理圖的硅片上的不必要原理圖浸蝕掉，那樣看上去好像沒(méi)有什么難的，可是有一個(gè)品牌形象的形容，每一塊集成ic上邊的電源電路構(gòu)造變大成千上萬(wàn)倍看來(lái)比全部北京市都繁雜，這就是這光刻和蝕刻加工的難度系數(shù)。 光刻的全過(guò)程就是目前制做好的硅圓表面涂上一層光刻膠(一種能夠被光浸蝕的膠狀物化學(xué)物質(zhì))，下面根據(jù)光源(加工工藝難度系數(shù)紫外線＜深紫外線＜極紫外線)通過(guò)掩膜照射硅圓表面(相近投射)，由于光刻膠的遮蓋，照射的一部分被浸蝕掉，沒(méi)有陽(yáng)光照射的一部分被留下，這一部分就是必須 的電源電路構(gòu)造。 蝕刻加工分成二種，一種是干刻，一種是濕刻(現(xiàn)階段流行)，說(shuō)白了，濕刻便是全過(guò)程中存水添加，將上邊歷經(jīng)光刻的圓晶與特殊的化學(xué)溶液反映，除掉不用的一部分，剩余的就是電源電路構(gòu)造了，干刻現(xiàn)階段都還沒(méi)完成商業(yè)服務(wù)批量生產(chǎn)，其基本原理是根據(jù)等離子技術(shù)替代化學(xué)溶液，除去不用的硅圓一部分。

蝕刻機(jī)可以分為化學(xué)蝕刻機(jī)及電解蝕刻機(jī)兩類。在化學(xué)蝕刻中是使用化學(xué)溶液，經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)以達(dá)到蝕刻的目的，化學(xué)蝕刻機(jī)是將材料用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。

光刻機(jī)(Mask Aligner) 又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。Photolithography(光刻) 意思是用光來(lái)制作一個(gè)圖形(工藝);在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過(guò)程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時(shí)""到硅片上的過(guò)程。

光柵刻畫(huà):光學(xué)中光柵通常的作用是色散。光柵刻劃是制作光柵的方法之一。