氧化鋯(YSZ)單晶基片是zui早應(yīng)用于高溫超導(dǎo)薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性好、成本低的特點。

氧化鋯(YSZ)晶體產(chǎn)品規(guī)格：常規(guī)晶向：<100>, <110>, <111>；晶向公差：±0.5°；常規(guī)尺寸：dia2'x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm；拋光情況：單拋或雙拋，Ra<5A。注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

由于氧化鋯(YSZ)材料具有高硬度，高強度，高韌性，極高的耐磨性及耐化學(xué)腐蝕性等等優(yōu)良的物化性能，氧化鋯已經(jīng)在陶瓷、耐火材料、機(jī)械、電子、光學(xué)、航空航天、生物、化學(xué)等等各種領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。氧化鋯存在三種穩(wěn)定度同素異晶體：單斜相，立方相和四方相。純氧化鋯的單斜相從室溫到1170℃是穩(wěn)定的，超過這一溫度轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆较?，然后?370℃轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎较啵钡?680℃發(fā)生融化。

 氧化鋯有三種晶體結(jié)構(gòu)，低溫時為單斜晶系，在1100℃以上形成四方晶型，在1900℃以上形成立方晶型。單晶氧化鋯陶瓷的強度與韌性都是以它的晶體結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的，因其特殊的晶體結(jié)構(gòu)才可以制成適用于各種惡劣環(huán)境的陶瓷零件。常壓下純的 氧化鋯有三種晶型，低溫為單斜晶系，密度5.68g/cm3， 高溫為四方晶系，密度6.10g/cm3，更高溫度下為立方晶系，密度6.27g/cm3。