對天然菱鎂礦的加熱得到氧化鎂（MgO）,再將其加入到電弧爐中,加熱到2800°C以上,會生長出氧化鎂（MgO）晶體。主要性能參數(shù) 尺寸：10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm；厚度：0.5mm，1.0mm；拋光：單面或雙面；晶向：<001>±0.5o；晶面定向精度:±0.5°；邊緣定向精度:2°（特殊要求可達1°以內(nèi)）；斜切晶片：可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片；Ra:≤5A（5μm×5μm）。

氧化鎂(MgO)單晶基片是高頻微波器件高溫超導(dǎo)薄膜zui常選用的主要襯底材料之一， 也是當前可實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的重要的高溫超導(dǎo)薄膜基片。目前生產(chǎn)氧化鎂(MgO)晶體的主流技術(shù)是電弧爐熔融法。主要通過高溫電弧作熱源在原料中心形成熔體，在加熱過程停止后熔體經(jīng)自然冷卻得到晶體。具有巖鹽晶體結(jié)構(gòu)的氧化鎂(MgO)是一種寬禁帶氧化物絕緣體，帶隙Eg為7.8 eV。優(yōu)良的絕緣性、熱傳導(dǎo)性、熱穩(wěn)定性等特點使得MgO具有十分廣泛的應(yīng)用。

氧化鎂(Mg0)是一種重要的金屬氧化物陶瓷材料,它具有高的熔點(~2830℃)、較低的密度(358gcm3)、較高的斷裂模數(shù)等性質(zhì),被廣泛用作高溫耐火材料,涂料等。氧化鎂（MgO）單晶基片廣泛應(yīng)用在多個薄膜技術(shù)領(lǐng)域中。用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等,也可用于制作移動通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。

氧化鎂（MgO）是離子化合物，同樣也是離子晶體，雖然一般來說，原子晶體的熔點的確比離子晶體高，但是這并不絕1對，鍵能較低的原子晶體熔點明顯比鍵能高的離子晶體低。因為氧化鎂是由氧離子和鎂離子通過離子鍵結(jié)合成的.。單晶氧化鎂是指MgO含量在99.95%以上，具有極強的耐高低溫（高溫2500℃，低溫-270℃）抗腐蝕性、絕緣性和良好的導(dǎo)熱性和光學(xué)性能、無色透明的晶體。