氧化鋯(YSZ)單晶基片是zui早應(yīng)用于高溫超導(dǎo)薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見(jiàn)濃度有13 mol%,YSZ具有機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性好、成本低的特點(diǎn)。

氧化鋯(YSZ)晶體產(chǎn)品規(guī)格：常規(guī)晶向：<100>, <110>, <111>；晶向公差：±0.5°；常規(guī)尺寸：dia2'x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm；拋光情況：?jiǎn)螔伝螂p拋，Ra<5A。注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

氧化鋯由于ZrO2單晶需摻入釔（Y）以穩(wěn)定其結(jié)構(gòu)， 一般實(shí)際使用的是YSZ單晶――加入釔穩(wěn)定劑（含量約19%）的氧化鋯單晶。它機(jī)械、化學(xué)穩(wěn)定性好，價(jià)格較低因而得以廣泛應(yīng)用。單晶氧化鋯（YSZ）陶瓷材料因其高強(qiáng)度、高硬度、耐腐蝕、耐高溫而被認(rèn)為是具有廣泛應(yīng)用前景的新型陶瓷。它作為一種重要的快離子導(dǎo)體，在氧傳感器、氧泵浦、固體氧化物燃料電池已得到廣泛應(yīng)用和研究。

在高溫下 ，氧化鋯屬于立方螢石型結(jié)構(gòu)，因?yàn)閆r4 直徑大于O2-離子直徑，所以可以認(rèn)為，由Zr4 構(gòu)成面心立方點(diǎn)陣，占據(jù)1/2的八面體空隙，O2-離子占據(jù)面心立方點(diǎn)陣所有四個(gè)四面體空隙。常溫下， 氧化鋯只能是單斜相，當(dāng)用鋯鹽煅燒，達(dá)到650℃時(shí)，出現(xiàn)穩(wěn)定的四方相，繼續(xù)升高時(shí)四方相逐步轉(zhuǎn)變?yōu)閱涡毕啵倮^續(xù)升溫至830℃時(shí)， 氧化鋯又開(kāi)始向四方相轉(zhuǎn)變，至1170℃時(shí)，完全轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆较?，溫度升?370℃時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎较?