氧化鋯(YSZ)單晶基片是zui早應(yīng)用于高溫超導(dǎo)薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見(jiàn)濃度有13 mol%,YSZ具有機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性好、成本低的特點(diǎn)。由于氧化鋯(YSZ)材料具有高硬度，高強(qiáng)度，高韌性，極高的耐磨性及耐化學(xué)腐蝕性等等優(yōu)良的物化性能，氧化鋯已經(jīng)在陶瓷、耐火材料、機(jī)械、電子、光學(xué)、航空航天、生物、化學(xué)等等各種領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。

氧化鋯由于ZrO2單晶需摻入釔（Y）以穩(wěn)定其結(jié)構(gòu)， 一般實(shí)際使用的是YSZ單晶――加入釔穩(wěn)定劑（含量約19%）的氧化鋯單晶。它機(jī)械、化學(xué)穩(wěn)定性好，價(jià)格較低因而得以廣泛應(yīng)用。氧化鋯存在三種穩(wěn)定度同素異晶體：?jiǎn)涡毕?，立方相和四方相。純氧化鋯的單斜相從室溫?170℃是穩(wěn)定的，超過(guò)這一溫度轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆较?，然后?370℃轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎较?，直?680℃發(fā)生融化。

常壓下純的 氧化鋯有三種晶型，低溫為單斜晶系，密度5.68g/cm3， 高溫為四方晶系，密度6.10g/cm3，更高溫度下為立方晶系，密度6.27g/cm3，三種晶型相互間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下：?jiǎn)涡盳rO2  →  四方ZrO2  →  立方ZrO2  →   熔體。

氧化鋯(YSZ)晶體技術(shù)參數(shù)。 晶體結(jié)構(gòu)：立方；晶格常數(shù):a = 5.125  ?；密度:5.8 g  / cm3；純度: 99.99%；熔點(diǎn): 2800°c；熱膨脹系數(shù):10.3 x10-6/ °c；介電常數(shù):27；晶體生長(zhǎng)方法：弧熔法。

氧化鋯(YSZ)晶體

產(chǎn)品規(guī)格：常規(guī)晶向：<100>, <110>, <111>；晶向公差：±0.5°；常規(guī)尺寸：dia2'x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm；拋光情況：?jiǎn)螔伝螂p拋，Ra<5A。注：可按客戶(hù)需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

晶體結(jié)構(gòu)：立方；晶格常數(shù):a = 5.125  ?；密度:5.8 g  / cm3；純度: 99.99%；熔點(diǎn): 2800°c；熱膨脹系數(shù):10.3 x10-6/ °c；介電常數(shù):27；晶體生長(zhǎng)方法：弧熔法。