氧化鋅（ZnO）晶體主要性能參數(shù)：晶體結(jié)構(gòu)：六方；晶格常數(shù)：a=3.252A c=5.313 A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熔點：1975℃；熱膨脹系數(shù)：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c；熱 容：0.125 cal /g.m；熱電常數(shù)：1200 mv/k @ 300 ℃；熱 導(dǎo)：0.006 cal/cm/k。目前,生長氧化鋅（ZnO）單晶體的方法有CvT、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經(jīng)生長出2~3英寸的ZnO晶體,這證明水熱法是一種生長高質(zhì)量、大尺寸ZnO單晶體的zui有效的方法。

氧化鋅（ZnO）晶體主要性能參數(shù)：晶體結(jié)構(gòu)：六方；晶格常數(shù)：a=3.252A c=5.313 A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熔點：1975℃；熱膨脹系數(shù)：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c；熱 容：0.125 cal /g.m；熱電常數(shù)：1200 mv/k @ 300 ℃；熱 導(dǎo)：0.006 cal/cm/k。采用化學(xué)氣相法在加熱溫度為300~500℃下進行試驗,加熱溫度對氧化鋅（ZnO）晶體的外觀形貌有很重要的影響。

氧化鋅（ZnO）是一致熔融化合物,熔點為1975℃。由于高溫下氧化鋅（ZnO）的揮發(fā)性很強，傳統(tǒng)的提拉法等熔體生長工藝很難獲得氧化鋅（ZnO）晶體體單晶。目前,氧化鋅（ZnO）晶體體單晶的生長方法主要有緩慢冷卻法、水熱法和氣相生長法。氧化鋅（ZnO）晶體主要性能參數(shù)：透過范圍：0.4-0.6 um > 50% at 2mm；晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o 尺寸（mm） 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底。

目前,生長氧化鋅（ZnO）單晶體的方法有CvT、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經(jīng)生長出2~3英寸的ZnO晶體,這證明水熱法是一種生長高質(zhì)量、大尺寸ZnO單晶體的zui有效的方法?；谘趸\（ZnO）的紫外激光器的實現(xiàn)掀起了對于傳統(tǒng)的纖鋅礦結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體氧化鋅（ZnO）材料的新的研究熱潮.氧化鋅（ZnO）以其優(yōu)良的綜合性能將成為下一代光電子材料,因此對氧化鋅（ZnO）單晶的研究有重要的理論和實踐意義。