氧化鋅（ZnO）晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能IBⅥA族半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)良的光電、導(dǎo)電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結(jié)構(gòu),閃鋅礦結(jié)構(gòu)(與金剛石類似,可看成氧原子FCC排列,4個(gè)鋅原子占據(jù)金剛石中晶胞內(nèi)四個(gè)碳原子的位置);NaC結(jié)構(gòu);CsCl結(jié)構(gòu)(氧原子簡(jiǎn)單立方排列,鋅原子占據(jù)體心位置);纖鋅礦結(jié)構(gòu)(六方結(jié)構(gòu),氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。

生長(zhǎng)氧化鋅（ZnO）的方法有助熔劑法、水熱法、氣相法和坩堝下降法等等,但所生長(zhǎng)的氧化鋅（ZnO）單晶的尺寸和質(zhì)量都有待于提高.由于水熱法生長(zhǎng)氧化鋅（ZnO）晶體時(shí),需使用高濃度的堿溶液作礦化劑,因此有必要使用貴1金屬襯套管以保護(hù)高壓釜反應(yīng)腔內(nèi)壁,以免遭受堿液的腐蝕。目前,生長(zhǎng)氧化鋅（ZnO）單晶體的方法有CvT、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經(jīng)生長(zhǎng)出2~3英寸的ZnO晶體,這證明水熱法是一種生長(zhǎng)高質(zhì)量、大尺寸ZnO單晶體的zui有效的方法。

采用化學(xué)氣相法在加熱溫度為300~500℃下進(jìn)行試驗(yàn),加熱溫度對(duì)氧化鋅（ZnO）晶體的外觀形貌有很重要的影響。氧化鋅（ZnO）是一致熔融化合物,熔點(diǎn)為1975℃。由于高溫下氧化鋅（ZnO）的揮發(fā)性很強(qiáng)，傳統(tǒng)的提拉法等熔體生長(zhǎng)工藝很難獲得氧化鋅（ZnO）晶體體單晶。目前,氧化鋅（ZnO）晶體體單晶的生長(zhǎng)方法主要有緩慢冷卻法、水熱法和氣相生長(zhǎng)法。采用水熱法，可以從KOH和LiOH混合水溶液中生長(zhǎng)ZnO晶體。晶體呈淺綠色或淺黃色，完整性較好，但尺寸還不夠大，難以滿足工業(yè)應(yīng)用的需求。