佛山市錦城鍍膜有限公司以耐高溫車輛燈具注塑 鍍膜為主的專業(yè)生產(chǎn)廠家，公司秉承“以質(zhì)取勝，求真務(wù)實，顧客至上”理念，歡迎廣大客戶光臨了解,我們將為你的產(chǎn)品錦上添花.

鍍膜工藝流程中工藝參數(shù)的控制和對膜層沉積的影響：

本底真空度: 本底真空度越高爐內(nèi)雜氣量(包括水氣)越少,這保證鍍膜時反應(yīng)氣體的純度,從而保證膜層顏色的純正和光澤鮮亮。一般本底真空應(yīng)該進入5-7*10-3。

靶基距：靶基距是影響成膜速率的重要因素之一，隨著靶基距增加，被濺射材料射向基片時與氣體分子碰撞的次數(shù)增多，同時等離子體密度也減弱，動能減少，沉積速率降低，但膜層外觀較好。靶基距太小，沉積太快，工件溫升大，膜層外觀差。

真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空蒸鍍是將沉積材料與工件同放在真空室中，然后加熱沉積材料使之迅速熔化蒸發(fā)，當(dāng)蒸發(fā)原子與冷工件表面接觸后便在工件表面上凝結(jié)形成具有一定厚度的沉積層日。

PLD缺點：1、在鍍膜過程中，薄膜會被沉積在薄膜上的等離子本管中產(chǎn)生的微粒、氣態(tài)原子和分子降低質(zhì)量，采取一定的措施后也

不能完全消除.2、在控制摻雜、生長平滑的多層膜等方面PLD生長部比較困難，因此進一步提高薄膜的質(zhì)量會比較困難.