微型電容器的極板對(duì)導(dǎo)電薄膜的要求略有不同，常用鋁或鉭作電容器的下極板，鋁或金作上極板。

　　對(duì)電阻薄膜的主要要求是膜電阻范圍寬、溫度系數(shù)小和穩(wěn)定性能好。最常用的是鉻硅系和鉭基系。在鉻硅系中有鎳-鉻(Ni-Cr)、鉻-鈷(Cr-Co)、鎳-鉻-硅(Ni-Cr-Si)、鉻-硅(Cr-Si)、鉻-氧化硅(Cr-SiO)、鎳鉻-二氧化硅（NiCr－SiO2）。屬于鉭基系的有鉭(Ta)、氮化鉭(Ta2N)、鉭-鋁-氮(Ta－Al－N)、鉭-硅(Ta-Si)、鉭-氧-氮(Ta-O-N)、鉭-硅-氧(Ta-Si-O)等。

　　對(duì)介質(zhì)薄膜要求介電常數(shù)大、介電強(qiáng)度高、損耗角正切值小,用得最多的仍是硅系和鉭系。即氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氧化鉭(Ta2O5)和它們的雙層復(fù)合結(jié)構(gòu)：Ta2O5-SiO和Ta2O5-SiO2。有時(shí)還用氧化釔(Y2O3)，氧化鉿(HfO2)和鈦酸鋇(BaTiO3)等。

網(wǎng)絡(luò)排阻,印刷,電子尺電阻板,厚膜電容,噴碼機(jī)專用不銹鋼加熱片,濕敏電阻片,叉車踏板傳感器電阻片,單列直插式網(wǎng)絡(luò)排容,FR4 電阻板, 無(wú)接觸式電阻傳感器,印刷加工,厚膜芯片.游戲機(jī)控制開關(guān),單列直插式網(wǎng)絡(luò)排阻,平面印刷,陶瓷印銀,微波爐專用高壓電阻,貼片電容,薄膜電阻片,汽車檔位陶瓷片,鍵盤印刷,陶瓷鍍金,復(fù)印機(jī)陶瓷加熱片,貼片電阻,薄膜電阻器,PCB印碳,打印機(jī)陶瓷加熱片,濕度傳感器,擾性線路板,NTC熱敏電阻,電位計(jì)傳感器,叉車手搖柄傳感器電阻片,貼片電感

　　為了減小薄膜網(wǎng)路中的寄生效應(yīng)，絕緣薄膜的介電常數(shù)應(yīng)該很小,因而采用氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氮化硼(BN)、氮化鋁(AlN)、氮化硅 (Si3N4)等，適合于微波電路。

磁控濺射是為了在低氣壓下進(jìn)行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。通過在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率的方法。

工作原理

　　磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar 和新的電子；新電子飛向基片，Ar 在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，產(chǎn)生E（電場(chǎng)）×B（磁場(chǎng)）所指的方向漂移，簡(jiǎn)稱E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場(chǎng)，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng)，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，

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二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。

厚膜漿料盡管種類很多，但最主要的有代表性的仍是導(dǎo)體、電阻和介質(zhì)三種漿料。  

漿料制備：根據(jù)不同漿料的配方和組成進(jìn)行稱量、均勻混合后加入適量有機(jī)載體，使粉料均勻分散于載體中，再進(jìn)行研磨和輥軋便可得粉料分散、混合    均勻的厚膜漿料。

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