2.元器件方面

?研制各種適合于厚膜電路組裝的有源和

  無(wú)源器件

?研制和發(fā)展厚膜敏感器件

3.電路方面：向超大規(guī)模方向發(fā)展

?利用厚膜的多層布線技術(shù)和高密度組裝技術(shù)，提高電路的集成度。

4.厚膜技術(shù)方面

?研究和發(fā)展各種自動(dòng)化高密度組裝技術(shù)（突點(diǎn)技術(shù)、SMT技術(shù)）、焊接技術(shù)（激光微焊、電子束焊接）。

?發(fā)展厚膜與其他各種技術(shù)的組合技術(shù)

   厚膜技術(shù)、薄膜技術(shù)、半導(dǎo)體微細(xì)加工技術(shù)、CAD、CAM、CAT

5.多芯片模塊（MCM）—混合微電路的新品種

   封裝密度增加一個(gè)數(shù)量級(jí)、性能提高一個(gè)

數(shù)量級(jí)

  MCM-D—通過(guò)薄膜淀積金屬和多層介記載加工的多層基片。

  MCM-C—通過(guò)陶瓷與金屬共燒加工的多層基片。（HTCC、LTCC）

其電路圖形的轉(zhuǎn)移采用上述任何原材料都無(wú)法達(dá)到其技術(shù)指標(biāo)。因此研制與開(kāi)發(fā)更新型的光致抗蝕劑-陽(yáng)極法電沉積光致抗蝕劑（ED法）其基本原理是將水溶性的有機(jī)酸化合物等溶于槽液內(nèi)，形成帶有正、負(fù)荷的有機(jī)樹(shù)脂團(tuán)，而把基板銅箔作為一個(gè)極性（類(lèi)似電鍍一樣）進(jìn)行“電鍍”即電泳，在銅的表面形成5-30μm光致抗蝕膜層，是可控制的。其分辨率可達(dá)到0.05-0.03mm。這種電路圖形轉(zhuǎn)移材料是很有發(fā)展前途的工藝方法。當(dāng)然任何新型有圖形轉(zhuǎn)移材料都有它的局限性，隨著高科技的發(fā)展還會(huì)研制與開(kāi)發(fā)更適合更佳的原材料。敏感電阻器8敏感電阻器也稱(chēng)半導(dǎo)體電阻器,這類(lèi)電阻器根據(jù)不同材料和制作工藝可以對(duì)溫度,光通,濕度,壓力,磁通,氣體濃度等物理量起敏感作用。

v制造印制板過(guò)程中的一道工序就是將照相底版上的電路圖像轉(zhuǎn)移到覆銅箔層壓板上，形成一種抗蝕或抗電鍍的掩膜圖像?？刮g圖像用于“印制蝕刻工藝”，即用保護(hù)性的抗蝕材料在覆銅箔層壓板上形成正相圖像，那些未被抗蝕劑保護(hù)的不需要的銅箔，在隨后的化學(xué)蝕刻工序中被去掉，蝕刻后去除抗蝕層，便得到所需的裸銅電路圖像。而抗電鍍圖像用于“圖形電鍍工藝”，即用保護(hù)性的抗蝕材料在覆銅層壓板上形成負(fù)相圖像，使所需要的圖像是銅表面，經(jīng)過(guò)清潔、粗化等處理后，在其上電鍍銅或電鍍金屬保護(hù)層(錫鉛、錫鎳、錫、金等)，然后去掉抗蝕層進(jìn)行蝕刻，電鍍的金屬保護(hù)層在蝕刻工序中起抗蝕作用。如果干膜存在上述要求中的缺陷，就會(huì)增加圖像轉(zhuǎn)移后的修版量，嚴(yán)重者根本無(wú)法使用。

v以上兩種工藝過(guò)過(guò)程概括如下：厚膜電路印刷方式，薄膜電路方式，節(jié)氣門(mén)電路，碳膜片，電阻片，線路板