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OPTM反射率測(cè)試擇優(yōu)推薦【大塚電子】

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發(fā)布時(shí)間:2020-12-20 04:05  

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測(cè)量示例:

SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測(cè)量

半導(dǎo)體晶體管通過(guò)控制電流的導(dǎo)通狀態(tài)來(lái)發(fā)送信號(hào),但是為了防止電流泄漏和另一個(gè)晶體管的電流流過(guò)任意路徑,有必要隔離晶體管,埋入絕緣膜。 SiO 2(二氧化硅)或SiN(氮化硅)可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜,而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數(shù)的絕緣膜,或是作為通過(guò)CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 為了絕緣膜的性能和精準(zhǔn)的工藝控制,有必要測(cè)量這些膜厚度。



 










 膜厚儀廠家解釋凡其厚度與入射光波長(zhǎng)相比擬的并能引起干涉現(xiàn)象(相干光程小于相干長(zhǎng)度)的膜層為薄膜,其厚度遠(yuǎn)大于入射光波波長(zhǎng)的膜層稱之為厚膜。如今,微電子薄膜,光學(xué)薄膜,抗1氧化薄膜,巨磁電阻薄膜,高溫超導(dǎo)薄膜等在工業(yè)生產(chǎn)和人類生活中的不斷應(yīng)用,在工業(yè)生產(chǎn)的薄膜,其厚度是一個(gè)非常重要的參數(shù),直接關(guān)系到該薄膜材料能否正常工作。

如果膜厚測(cè)試儀已經(jīng)進(jìn)行了適當(dāng)?shù)男?zhǔn),所有的測(cè)量值將保持在一定的誤差范圍內(nèi);根據(jù)統(tǒng)計(jì)學(xué)的觀點(diǎn),一次讀數(shù)是不可靠的。因此任何由膜厚測(cè)試儀顯示的測(cè)量值都是五次“看不見”的測(cè)量的平均值。這五次測(cè)量是在幾分之一秒的時(shí)間內(nèi)由探頭和儀器完成的。


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