電子產(chǎn)品的靜電放電對策及改進要點

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ESD通常發(fā)生在產(chǎn)物自身袒露在外的導電物體，大概發(fā)生在相近的導電物體上。

對裝備而言，容易產(chǎn)生靜電放電的部位是：

電纜，鍵盤及袒露在外的金屬框架以及裝備外殼上的孔，洞，縫隙等。

常用的改進方法是在產(chǎn)物ESD發(fā)生或侵入傷害點，比方輸入點和地之間設(shè)置瞬態(tài)掩護電路，這些電路僅僅在ESD感應電壓高出極限時發(fā)揮作用。

掩護電路可以包羅多個電流分流單元。

減小ESD產(chǎn)生的電磁干擾（EMI）影響電子產(chǎn)品或設(shè)備的方法：

完全克制ESD產(chǎn)生的EMI耦合到電路或設(shè)備

以及通過籌劃工藝增長設(shè)備固有的ESD抗擾性。

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電路設(shè)計2

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一個瞬態(tài)防護二極管也可以大概對靜電放電起到有效的掩護

但須要注意：用二極管固然將瞬態(tài)干擾的電壓限定住了，蛋糕頻干擾因素并沒有鐫汰。

該電路中一樣平常應有與瞬態(tài)防護二極管并聯(lián)的高頻旁路電容克制高頻干擾。

在電路籌劃及電路板布線方面：

應采取門電路和脈沖選通。

這種輸入方式只有在靜電放電和選通同時發(fā)生才華造成粉碎。

而脈沖邊沿觸發(fā)輸入方式對靜電放電引起的瞬變很敏感，不宣接納的。

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通過電快速脈沖試驗的整改措施

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克制EFT干擾的一樣尋常對策

EFT干擾有以下幾個特點：

1.EFT干擾以共模方式侵入敏感裝備。

2.EFT干擾在轉(zhuǎn)達過程中通過輻射和傳導兩種方式影響EUT電路。

3.EFT干擾是由一組組的麋集的單極型脈沖構(gòu)成，對敏感裝備電路結(jié)點的影響具有連續(xù)累積性。

4.EFT干擾侵入敏感裝備的頻率覆蓋中高頻段，且電源端口的頻譜分量比信號端口低頻分量更豐富。

5.EFT干擾是一種范例的高壓快速脈沖干擾。

6.EFT干擾告急通過三種路徑影響敏感設(shè)備電路：直接通過干擾線傳導進入敏感設(shè)備電路；通過干擾線輻射到相鄰的干擾線，在從相鄰干擾線進入敏感設(shè)備電路；通過干擾線輻射輻射直接進入敏感設(shè)備電路。

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