電容器在電源中的應用之浪涌電壓保護

可靠性高，體積小，充放電壽命長，電壓高達150kV，放電電流大，介質(zhì)損耗＜0.1%。

開關(guān)頻率很高的現(xiàn)代功率半導體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響。4、老化測驗，高壓陶瓷電容在模仿作業(yè)環(huán)境狀態(tài)下運作30~60天，測驗其衰減其各項參數(shù)的改變?？缃釉诠β拾雽w器件兩端的浪涌電壓保護電容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通過吸收電壓脈沖限制了峰值電壓，從而對半導體器件起到了保護作用，使得浪涌電壓保護電容器成為功率元件庫中的重要一員。半導體器件的額定電壓和電流值及其開關(guān)頻率左右著浪涌電壓保護電容器的選擇。由于這些電容器承受著很陡的DV/DT值，因此，對于這種應用而言，薄膜電容器是恰當之選。

在額定電壓值高達2000VDC的條件下，典型的電容額定值在470PF～47NF之間。所以在我國GB/T11024．1-2001中明確規(guī)定，陶瓷電容器的額定工作電壓是電容器容許在電網(wǎng)中連續(xù)工作的較高電壓。對于大功率的半導體器件，如IGBT，電容值可高達2.2ΜF(xiàn)，電壓在1200VDC的范圍內(nèi)。不能僅根據(jù)電容值/電壓值來選擇電容器。在選擇浪涌電壓保護電容器時，還應考慮所需的DV/DT值。耗散因子決定著電容器內(nèi)部的功率耗散。因此，應選擇一個具有較低損耗因子的電容器作為替換。

電容器的工作原理解釋

1、滑潤或濾波：將整流以后的脈狀波變?yōu)榘そ绷鞯幕瑵櫜ǎ驅(qū)⒓y涉及攪擾波慮除。

2、耦合：作為兩個電路之間的銜接，答應溝通信號經(jīng)過并傳輸?shù)较乱患夒娐贰?

3、隔直流：效果是阻撓直流而讓溝通經(jīng)過。

4、旁路（去耦）：為溝通電路中某些并聯(lián)的元件供給低阻抗通路。

5、調(diào)諧：對與頻率有關(guān)的電路進行系統(tǒng)調(diào)諧，比方手機、收音機、電視機。

6、儲能：儲能型電容器經(jīng)過整流器搜集電荷，并將存儲的能量經(jīng)過變換器引線傳送至電源的輸出端。

7、浪涌電壓維護： 開關(guān)頻率很高的現(xiàn)代功率半導體器材易受潛在的危害性電壓尖峰脈沖的影響。新型鉭電容為解決降低額定電壓的問題，Vishay研發(fā)部門開發(fā)出了具有更高額定電壓等級的新系列SMD固體鉭電容器，額定電壓高達75WVDC。跨 接在功率半導體器材兩頭的浪涌電壓維護電容器經(jīng)過吸收電壓脈沖約束了峰值電壓，然后對半導體器材起到了維護效果，使得浪涌電壓維護電容器變成功率元件庫中的主要一員。

8、抗攪擾按捺： 這些電容器銜接在電源的輸入端，以減輕由半導體所發(fā)生的電磁或無線電攪擾。該芯片內(nèi)部本身集成了電容式觸摸傳感模塊，可以做到一個I/O口對應一個按鍵，外圍電路簡潔、無需外部組件的情況下即可通過片上振蕩器和電容式觸摸感應IO實現(xiàn)觸摸按鍵接口。因為直接與主輸入線相連，這些電容器易遭受到破壞性的過壓和瞬態(tài)電壓。采用塑膜技術(shù)的 X- 級和 Y- 級電容器供給了為便宜的按捺方法之一。按捺電容器的阻抗跟著頻率的添加而減小，答應高頻電流經(jīng)過電容器。

9、充電與放電：電容器極板間建立起電壓積儲起電能，這個進程稱為電容器的充電。充好電的電容 器兩頭有必定的電壓。電容器貯存的電荷向電路開釋的進程，稱為電容器的放電。

電容器之電解電容是什么呢？

電容器之電解電容是電容的一種，金屬箔為正極（鋁或鉭），與正極緊貼金屬的氧化膜（氧化鋁或五氧化二鉭）是電介質(zhì)，陰極由導電材料、電解質(zhì)（電解質(zhì)可以是液體或固體）和其他材料共同組成，因電解質(zhì)是陰極的主要部分，電解電容因此而得名。

這個就是電容器之電解電容的介紹。