電容器：創(chuàng)新才有未來

可靠性高，體積小，充放電壽命長，電壓高達(dá)150kV，放電電流大，介質(zhì)損耗＜0.1%。

從上世紀(jì)80年代的彩電國產(chǎn)化開始，到今天家電的普及，我國的電容器產(chǎn)業(yè)得到了飛速的發(fā)展，在數(shù)量、質(zhì)量、服務(wù)等方面充分滿足了各類電子整機(jī)發(fā)展的需求，并帶動了相關(guān)的材料行業(yè)、設(shè)備行業(yè)、儀器儀表行業(yè)的發(fā)展。目前，我國已成為全球電容器生產(chǎn)大國和消費大國，產(chǎn)量位居全球第1，銷售額位居全球第二。通常，這類開關(guān)被用來限制機(jī)械運動的位置或行程，使運動機(jī)械按一定位置或行程自動停止、反向運動、變速運動或自動往返運動等。

我國電子信息產(chǎn)業(yè)已成為工業(yè)部門中增長速度快、產(chǎn)業(yè)規(guī)模較大、外貿(mào)出口較多、效益位居前列的重要支柱產(chǎn)業(yè)。在產(chǎn)品銷售收入、工業(yè)增加值、利稅總額、進(jìn)出口總額等方面，電子元件以約12%的比例同步增長，這為電容器行業(yè)的發(fā)展提供了一個堅實的基礎(chǔ)。

前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《中國電容器行業(yè)產(chǎn)銷需求與投資預(yù)測分析報告》顯示，我國的信息產(chǎn)業(yè)已具備了向更高層次發(fā)展的基礎(chǔ)。隨著電子信息技術(shù)進(jìn)一步向社會和經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域的全1面滲透和越來越多的電子技術(shù)在走融合的道路，電子信息產(chǎn)品發(fā)展必然越來越快，市場進(jìn)一步擴(kuò)大，產(chǎn)品沿著一條從滿足一般需求到人性化需求，再到個性化要求的道路發(fā)展。這些電路常采用鉭電容來降低紋波，但鉭電容有可能受到開關(guān)穩(wěn)壓器的噪聲影響而產(chǎn)生不安全的瞬變現(xiàn)象。

電容器在電源中的應(yīng)用之浪涌電壓保護(hù)

開關(guān)頻率很高的現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響?？缃釉诠β拾雽?dǎo)體器件兩端的浪涌電壓保護(hù)電容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通過吸收電壓脈沖限制了峰值電壓，從而對半導(dǎo)體器件起到了保護(hù)作用，使得浪涌電壓保護(hù)電容器成為功率元件庫中的重要一員。半導(dǎo)體器件的額定電壓和電流值及其開關(guān)頻率左右著浪涌電壓保護(hù)電容器的選擇。由于這些電容器承受著很陡的DV/DT值，因此，對于這種應(yīng)用而言，薄膜電容器是恰當(dāng)之選。高壓陶瓷電容器的可靠性測驗，也叫老化測驗，壽數(shù)測驗，包含很多方面的測驗內(nèi)容：1、串聯(lián)電阻測驗，絕緣電阻測驗。

在額定電壓值高達(dá)2000VDC的條件下，典型的電容額定值在470PF～47NF之間。對于大功率的半導(dǎo)體器件，如IGBT，電容值可高達(dá)2.2ΜF(xiàn)，電壓在1200VDC的范圍內(nèi)。不能僅根據(jù)電容值/電壓值來選擇電容器。在選擇浪涌電壓保護(hù)電容器時，還應(yīng)考慮所需的DV/DT值。耗散因子決定著電容器內(nèi)部的功率耗散。前瞻產(chǎn)業(yè)研究院電容器行業(yè)研究小組表示，片式化、小型化、復(fù)合化、高精度化、高性能化、一致性好、可靠性高、零缺陷是當(dāng)今世界電子元件的發(fā)展趨勢。因此，應(yīng)選擇一個具有較低損耗因子的電容器作為替換。

高壓陶瓷的作用

高壓陶瓷電容器，即使用在電力系統(tǒng)中的高壓陶瓷電容器，一般如電力系統(tǒng)的計量，儲能，分壓等產(chǎn)品中，都會用到高壓陶瓷電容器。高壓陶瓷電容器的作用主要分為送電、配電系統(tǒng)的電力設(shè)備和處理脈沖能量的設(shè)備。

因為電力系統(tǒng)的特殊性1：交流電壓高，高頻，處于室外環(huán)境中(-40度到 60度)，雷擊電壓/電流大，等等各種因素，造成了高壓陶瓷電容器在研發(fā)和生產(chǎn)中一直處于困境:環(huán)境的惡劣，要求電容具有超1強(qiáng)的穩(wěn)定性，即變化率要??；具有先進(jìn)的防干擾措施，防止按鍵誤動作，全自動補(bǔ)償，不受環(huán)境溫濕度影響。同時，計量，儲能，分壓等產(chǎn)品要求高精密度，這對處于這種環(huán)境下的高壓陶瓷電容器的局放，即局部放電量有著極為苛刻的要求：局放為零。

在大功率、高壓領(lǐng)域使用的高壓陶瓷電容器，要求具有小型、高耐壓和頻率特性好等特點。近年來隨著材料、電極和制造技術(shù)的進(jìn)步，高壓陶瓷電容器的發(fā)展有長足的進(jìn)展，并取得廣泛應(yīng)用。高壓陶瓷電容器已成為大功率高壓電子產(chǎn)品不可缺少的元件之一。

電容器在yilaio器械中選型及應(yīng)用

高壓電弧防護(hù)電容解決方案

為解決這一問題，Vishay推出了一系列的HVArc(高壓電弧)防護(hù)MLCC(多層貼片陶瓷電容)，可防止電弧放電，同時節(jié)省空間。這些新器件在較高的電壓定額內(nèi)具有較大容量，并且提高了電壓擊穿的耐受能力。高壓電弧放電會造成斷路，并有可能損壞其他元器件。標(biāo)準(zhǔn)的高壓SMD電容終將會失效短路，這取決于電弧放電的次數(shù)和存在問題的部分。Vishay HVArc防護(hù)電容可以吸收所有的能量，因此，此電容能夠在高壓下進(jìn)行正常工作，至少在達(dá)到高壓擊穿極限之前，不會產(chǎn)生破壞性電弧放電。開關(guān)頻率很高的現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響。

HVArc防護(hù)電容的VBD分布由器件采用的獨特設(shè)計來控制，VBD可達(dá)3kV或以上。本產(chǎn)品采用了NPO和X7R電介質(zhì)。