電光調(diào)制器的原理

電光調(diào)制器的基礎(chǔ)是電光效應(yīng)。因此，進(jìn)行電光調(diào)制器設(shè)計，應(yīng)明確以下目標(biāo)：高消光比、低驅(qū)動電壓、高調(diào)制速度、較大的帶寬、低損耗。根據(jù)電光晶體的折射率變化量和外加電場強(qiáng)度的關(guān)系，電光效應(yīng)可分為線性電光效應(yīng)(泡克耳斯效應(yīng))和二次電光效應(yīng)(克爾效應(yīng))。因為線性電光效應(yīng)比二次電光效應(yīng)的作用效果明顯，因此實際中多用線性電光調(diào)制器對光波進(jìn)行調(diào)制。線性電光調(diào)制器可分為縱向的和橫向的。在縱向的調(diào)制器中，電場平行于光的傳播方向，而橫向調(diào)制器的電場則垂直于光傳播的方向。

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光波在介質(zhì)中的傳播規(guī)律受到介質(zhì)折射率分布的制約，而折射率的分布又與其介電常量（電容率）密切相關(guān)。光調(diào)制器按照其調(diào)制原理來講，可分為電光、熱光、聲光、全光等，它們所依據(jù)的基本理論是各種不同形式的電光效應(yīng)、聲光效應(yīng)、磁光效應(yīng)、Franz-Keldysh效應(yīng)、量子阱Stark效應(yīng)、載流子色散效應(yīng)等。晶體折射率可用施加電場E的冪級數(shù)表示，即或?qū)懗墒街校?γE 是一次項，由該項引起的折射率變化，稱為線性電光效應(yīng)或泡克耳斯(Pockels)效應(yīng)；由二次項 bE2 引起的折射率變化，稱為二次電光效應(yīng)或克爾（Kerr ）效應(yīng)。對于大多數(shù)電光晶體材料，一次效應(yīng)要比二次效應(yīng)顯著，可略去二次項。

電光調(diào)制器分類

（1）偏振無關(guān)相位調(diào)制器

KG-IDPM 系列 LiNbO3偏振無關(guān)相位調(diào)制器采用先進(jìn)的鈦擴(kuò)散工藝，可以同時實現(xiàn)對兩個偏振態(tài)的調(diào)制，同時具有低插入損耗、低半波電壓、高損傷光功率等特點，主要用于高速光通信系統(tǒng)中光啁啾控制以及光纖傳感等領(lǐng)域。

2）偏振相關(guān)相位調(diào)制器

KG-PM 系列鈮酸鋰電光相位調(diào)制器采用先進(jìn)的質(zhì)子交換工藝，具有低插入損耗、高調(diào)制帶寬、低半波電壓等特點，主要用于空間光通信系統(tǒng)、相干合成、光譜展寬、干涉測量等領(lǐng)域。

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