刻蝕機

刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數來衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對其上的掩膜和其下的襯底沒有刻蝕。事實上，以上三個部分都會被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來衡量這一指標的參數。S=V/U（V為對薄膜的刻蝕速率，U為對掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導致圖形轉移的不均勻，等離子刻蝕機尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標的重要參數。除以上參數外，刻蝕速率也是一個重要指標，它用來衡量硅片的產出速度，刻蝕速率越快，則產出率越高。

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離子束刻蝕機

具有一定能量的離子束轟擊樣品表面，把離子束動能傳給樣品原子，使樣品表面的原子掙脫原子間的束縛力而濺射出來，從而實現刻蝕目的。這是純粹的物理濺射過程。

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離子束技術的應用涉及物理、化學、生物、材料和信息等許多學科的交叉領域。離子束加工在許多精密、關鍵、高附加值的加工模具

等機械零件的生產中得到了廣泛應用。一些國家用于軍事裝備的建設上，如改善蝸輪機主軸承、精密軸承、齒輪、冷凍機閥門和活塞的性能。離子注入半導體摻雜已成為超大規(guī)模集成電路微細加工的關鍵工藝，導致出現了80年代集成電路產業(yè)的騰飛。

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