磁控濺射靶在鍍膜過(guò)程中的重要作用? ??

磁控濺射靶是真空磁控濺射鍍膜的核心部件，它的重要作用主要表現(xiàn)在以下兩個(gè)方面(1)對(duì)于大面積表面的鍍膜，磁控濺射靶影響著膜層的均勻性與重復(fù)性；(2)當(dāng)膜層材料為貴重金屬時(shí)，靶的結(jié)構(gòu)決定著靶材(形成薄膜的材料)，即該貴重金屬的利用率。

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磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

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靶zhong毒的物理解釋

（1）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶zhong毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導(dǎo)通能力，降低了等離子體阻抗，導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當(dāng)發(fā)生靶zhong毒時(shí)，濺射電壓會(huì)顯著降低。（2）金屬靶材與化合物靶材本來(lái)濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數(shù)要比化合物的濺射系數(shù)高，所以靶zhong毒后濺射速率低。陶瓷靶因能抑制濺射過(guò)程中氧的選擇性濺射,能穩(wěn)定地將金屬銦和錫與氧的反應(yīng)物按所需的化學(xué)配比穩(wěn)定地成膜,故無(wú)zhong毒現(xiàn)象,工藝窗口寬,穩(wěn)定性好。（3）反應(yīng)濺射氣體的濺射效率本來(lái)就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應(yīng)氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。

真空鍍膜機(jī)的未來(lái)發(fā)展策略

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2、依托信息化發(fā)展趨勢(shì)，堅(jiān)持“以信息化帶動(dòng)工業(yè)化，以工業(yè)化促進(jìn)信息化”，走出一條科技含量高、經(jīng)濟(jì)效益好、資源消耗低、環(huán)境污染少、人力資源優(yōu)勢(shì)得到充分發(fā)揮的新型工業(yè)化路子。

3、依托政府支持，大力加強(qiáng)與擁有行業(yè)先進(jìn)技術(shù)和工藝水平的科研院所、大型企業(yè)、高校合作，使得新品能迅速推向市場(chǎng)。

真空鍍膜技術(shù)及設(shè)備擁有十分廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展前景。未來(lái)真空鍍膜設(shè)備行業(yè)等制造業(yè)將以信息化融合為重1心，依靠技術(shù)進(jìn)步，更加注重技術(shù)能力積累，制造偏向服務(wù)型，向世界真空鍍膜設(shè)備行業(yè)等制造業(yè)價(jià)值鏈高1端挺進(jìn)。