磁控濺射鍍膜機(jī)的工作原理

控濺射原理電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與原子發(fā)生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過(guò)程中受到磁場(chǎng)洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場(chǎng)的作用下圍繞靶面作圓周運(yùn)動(dòng)，該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長(zhǎng)，在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中不斷的與原子發(fā)生碰撞電離出大量的離子轟擊靶材，經(jīng)過(guò)多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠(yuǎn)離靶材，終沉積在基片上。 磁控濺射就是以磁場(chǎng)束縛和延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑，改變電子的運(yùn)動(dòng)方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內(nèi)壁及靶源陽(yáng)極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽(yáng)極在同一電勢(shì)。磁場(chǎng)與電場(chǎng)的交互作用使單個(gè)電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運(yùn)動(dòng)。至于靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場(chǎng)磁力線呈圓周形狀。磁力線分布方向不同會(huì)對(duì)成膜有很大關(guān)系。 在機(jī)理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在此原理下工作。在建筑玻璃層面的運(yùn)用：太陽(yáng)操縱膜、低輻射夾層玻璃、防霧防露和自清潔玻璃等。所不同的是電場(chǎng)方向，電壓電流大小而已。

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磁控濺射鍍膜機(jī)

銦錫氧化物( Indium Tin Oxide ,簡(jiǎn)稱ITO) 薄膜是一種用途廣泛的透明導(dǎo)電材料,已成熟的應(yīng)用于電機(jī)車(chē)擋風(fēng)玻璃、液晶顯示器件、太陽(yáng)能電池、全息照相和液晶彩色電視等,蓄勢(shì)待發(fā)的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光二極管顯示器(Organic Light-Emitting Diode ,簡(jiǎn)稱OLED) 。從應(yīng)用角度出發(fā),通常要求ITO 薄膜的成份是In2O3 和SnO2 ,薄膜中銦錫低價(jià)化合物愈少愈好。ITO 薄膜的制備方法很多,如噴涂、蒸發(fā)、射頻濺射和磁控濺射等。隨著液晶顯示器技術(shù)向高精細(xì)化和大型化發(fā)展,磁控濺射法備受歡迎。(2)對(duì)鋼件表層改性材料成效顯著，工藝性能高，真空泵加溫易清除高溫冶煉廠時(shí)融解的汽體，并可根據(jù)滲人金屬材料更改PCB的機(jī)構(gòu)和構(gòu)造，使耐磨性能、耐蝕性、強(qiáng)度和斷裂韌性等眾多特性獲得改進(jìn)。

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磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)的特點(diǎn)

創(chuàng)世威納——專業(yè)磁控濺射鍍膜設(shè)備機(jī)供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰?lái)以下信息。

(1)工件變形小 由于工件表面均勻覆蓋輝光，溫度一致性好，可以通過(guò)控制功率輸出來(lái)實(shí)現(xiàn)均勻升溫。另陰極濺射抵消了滲人元素引起的尺寸擴(kuò)一大

(2) 滲層的組織和結(jié)構(gòu)易于控制 通過(guò)調(diào)整工藝參數(shù)，可得到單相或多相的滲層組織

(3)工件無(wú)須附加清理 陰極濺射可以有效去除氧化膜，凈化工件表面，同時(shí)真空處理無(wú)新生氧化膜，這些都減少了附加設(shè)備和工時(shí)，降低了成本。

(4) 防滲方便 不需滲的地方可簡(jiǎn)單地遮蔽起來(lái)，對(duì)環(huán)境無(wú)公害，無(wú)污染，勞動(dòng)條件好。

(5) 經(jīng)濟(jì)效益高，能耗小 雖然初始設(shè)備投資較大，但工藝成本極低，是一種廉價(jià)的工程技術(shù)方法。此外，離子轟擊滲擴(kuò)技術(shù)易實(shí)現(xiàn)工藝過(guò)程或滲層質(zhì)量的計(jì)算機(jī)控制，質(zhì)量重復(fù)性好，可操作性強(qiáng)。