磁控濺射鍍膜機工藝

（1）技術(shù)方案 磁控濺射鍍光學膜，有以下三種技術(shù)路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時候為了得到更高的膜層純度，也需要通入一定量反應(yīng)氣體）； （b）反應(yīng)濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應(yīng)氣體的混合氣體，進行濺射沉積各種化合物膜層。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應(yīng)氣體離子源，將膜層進行氧化或者氮化等。 采用以上三種技術(shù)方案，在濺射沉積光學膜時，都會存在靶zhong毒現(xiàn)象，從而導(dǎo)致膜層沉積速度非常慢，對于上節(jié)介紹各種光學膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達數(shù)百納米。磁控濺射技術(shù)鍍膜磁控濺射技術(shù)鍍膜是一種重要的物理的氣相沉積鍍膜技術(shù)，這種工藝可工業(yè)化批量生產(chǎn)。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學上的應(yīng)用。

（2）新型反應(yīng)濺射技術(shù) 筆者對現(xiàn)有反應(yīng)濺射技術(shù)方案進行了改進，開發(fā)出新的反應(yīng)濺射技術(shù)，解決了鍍膜沉積速度問題，同時膜層的純度達到光學級別要求。表2.1是采用新型反應(yīng)濺射沉積技術(shù)，膜層沉積速度對比情況。

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磁控濺射鍍膜機的注意事項

1、保持機器內(nèi)艙各部位的清潔；

2、關(guān)注真空度指標；

3、檢查并記錄抽真空的時間，如有延長，立刻檢查造成的原因；

4、記錄濺射功率和時間（一般濺射機的銀靶設(shè)定功率為0.6千瓦，金靶的設(shè)定功率為0.75千瓦，鉻的行走速率為9000pps），如有異常，立刻檢查造成的原因；

5、根據(jù)鍍出石英振子的散差，調(diào)整遮擋板的各部尺寸；

6、濺鍍后的石英振子要用3M膠帶檢查其牢固度；

7、測試并記錄鍍好的石英振子主要指標，如：頻率、電阻、DLD等；

8、將不良品挑出：電極錯位、劃傷、臟污、掉銀等（工位上要有不良品示意圖）。

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磁控濺射

（1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

（2）裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機外殼，鼠標等。

（3） 在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學氣相沉積（CVD）或金屬有機

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