刻蝕機(jī)

以下是創(chuàng)世威納為您一起分享的內(nèi)容，創(chuàng)世威納專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)離子束刻蝕機(jī)，歡迎新老客戶(hù)蒞臨。

刻蝕機(jī)是基于真空中的高頻激勵(lì)而產(chǎn)生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來(lái)從而獲得化學(xué)活性微粒與被刻蝕材料起化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生輝發(fā)性物質(zhì)進(jìn)行刻蝕的。同時(shí)為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。 　　

刻蝕機(jī)主要對(duì)太陽(yáng)能電池片周邊的P—N結(jié)進(jìn)行刻蝕，使太陽(yáng)能電池片周邊呈開(kāi)路狀態(tài)。也可用于半導(dǎo)體工藝中多晶硅，氮化硅的刻蝕和去膠。

刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數(shù)來(lái)衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對(duì)其上的掩膜和其下的襯底沒(méi)有刻蝕。事實(shí)上，以上三個(gè)部分都會(huì)被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來(lái)衡量這一指標(biāo)的參數(shù)。S=V/U（V為對(duì)薄膜的刻蝕速率，U為對(duì)掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個(gè)硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移的不均勻，等離子刻蝕機(jī)尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標(biāo)的重要參數(shù)。除以上參數(shù)外，刻蝕速率也是一個(gè)重要指標(biāo)，它用來(lái)衡量硅片的產(chǎn)出速度，刻蝕速率越快，則產(chǎn)出率越高。

本產(chǎn)品信息有創(chuàng)世威納提供，如果您想了解更多產(chǎn)品信息您可撥打圖片上的電話(huà)進(jìn)行咨詢(xún)！

影響離子束刻蝕的因素

影響刻蝕效果的因素很多，還有諸如離子刻蝕的二次效應(yīng)、光刻膠掩模圖形的形狀和厚度、源靶距效應(yīng)、離子刻蝕弓起的材料損傷及溫度效應(yīng)等。

創(chuàng)世威納——專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)、銷(xiāo)售離子束刻蝕機(jī)產(chǎn)品，我們公司堅(jiān)持用戶(hù)為上帝，想用戶(hù)之所想，急用戶(hù)之所急，以誠(chéng)為本，講求信譽(yù)，以產(chǎn)品求發(fā)展，以質(zhì)量求生存，我們熱誠(chéng)地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。