磁控濺射鍍膜機

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真空鍍膜機利用這種濺射方法在基體上沉積薄膜是1877年問世的。但是，利用這種方法沉積薄膜的初期存在著濺射速率低，成膜速度慢，并且必須在裝置上設置高壓和通入惰性氣體等一系列問題。因此，發(fā)展緩慢險些被淘汰。只是在化學活性強的金屬、難容金屬、介質(zhì)以及化合物等材料上得到了少量的應用。直到20世紀70年代，由于磁控濺射及時的出現(xiàn)，才使濺射鍍膜得到了迅速的發(fā)展，開始走入了復興的道路。這是因為磁控濺射法可以通過正交電磁場對電子的約束，增加了電子與氣體分子的碰撞概率，這樣不但降低了加在陰極上的電壓，而且提高了正離子對靶陰極的濺射速率，減少了電子轟擊基體的概率，從而降低了它的溫度，即具備了;高速、低溫的兩大特點。到了80年代，雖然他的出現(xiàn)僅僅十幾年間，它就從實驗室中脫穎而出，真正地進入了工業(yè)大生產(chǎn)的領(lǐng)域。而且，隨著科學技術(shù)的進一步發(fā)展，近幾年來在濺射鍍膜領(lǐng)域中推出了離子束增強濺射，采用寬束強流離子源結(jié)合磁場調(diào)制，并與常規(guī)的二極濺射相結(jié)合組成了一種新的濺射模式。這一狀況是格洛夫（Grove）于1842年在試驗科學研究陰極浸蝕難題時，陰極原材料被轉(zhuǎn)移到真空管內(nèi)壁而發(fā)覺的。而且，又將中頻交流電源引入到磁控濺射的靶源中。這種被稱為孿生靶濺射的中頻交流磁控濺射技術(shù)，不但消除了陽極的;消失;效應。而且，也解決了陰極的問題，從而極大地提高了磁控濺射的穩(wěn)定性。為化合物薄膜制備的工業(yè)化大生產(chǎn)提供了堅實的基礎(chǔ)。近年來急速鍍膜的復興與發(fā)展已經(jīng)作為人們炙手可熱的一種新興的薄膜制備技術(shù)而活躍在真空鍍膜的技術(shù)領(lǐng)域中。

磁控濺射種類

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊Ar產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)和非平衡磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對較高，但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面，基片區(qū)域所受離子轟擊較小.非平衡磁控濺射技術(shù)概念，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域，從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片，增加基片磁控濺射區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率.不管平衡非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定一般靶材利用率小于30%。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar來轟擊靶材，從而實現(xiàn)了高的沉積速率。為增大靶材利用率，可采用旋轉(zhuǎn)磁場。但旋轉(zhuǎn)磁場需要旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，同時濺射速率要減小。旋轉(zhuǎn)磁場多用于大型或貴重靶。如半導體膜濺射。對于小型設備和一般工業(yè)設備，多用磁場靜止靶源。

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磁控濺射鍍膜機技術(shù)原理

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)是通過真空磁控濺射鍍膜機實現(xiàn)的，鍍膜機內(nèi)由不同級別的真空泵抽氣，在系統(tǒng)內(nèi)營造出一個鍍膜所需的真空環(huán)境，真空度要達到鍍膜所需的本底真空，一般在（1~5）×10-8 Pa。在真空環(huán)境中向靶材（陰極）下充入工藝氣體氣（Ar），氣在外加電場（由直流或交流電源產(chǎn)生）作用下發(fā)生電離生成離子（Ar ），同時在電場E的作用下，離子加速飛向陰極靶并以高能量轟擊靶表面，使靶材產(chǎn)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉積在PET基片上形成薄膜。同時被濺射出的二次電子在陰極暗區(qū)被加速，在飛向基片的過程中，落入設定的正交電磁場的電子阱中，直接被磁場的洛倫茲力束縛，使其在磁場B的洛倫茲力作用下，以旋輪線和螺旋線的復合形式在靶表面附近作回旋運動。電子e的運動被電磁場束縛在靠近靶表面的等離子區(qū)域內(nèi)，使其到達陽極前的行程大大增長，大大增加碰撞電離幾率，使得該區(qū)域內(nèi)氣體原子的離化率增加，轟擊靶材的高能Ar 離子增多，從而實現(xiàn)了磁控濺射高速沉積的特點。在運用該機理開發(fā)磁控膜的過程中，要注意以下幾個問題：①保證整體工藝中各個環(huán)節(jié)的可靠性。具體包括靶材質(zhì)量、工藝氣體純度、原膜潔凈程度、原膜質(zhì)量等基礎(chǔ)因素，這一系列因素會對鍍膜產(chǎn)品的終質(zhì)量產(chǎn)生影響?？墒牵@類勻稱是在小范圍之內(nèi)的，由于擴大靶基距造成的勻稱性是提升靶上的一點兒相匹配的板材上的總面積造成的，而提升工作中標準氣壓是因為提升物體光學散射造成的，顯而易見，這種要素只有在小總面積范圍之內(nèi)起功效。②選擇合適的靶材。要建立的膜系是通過對陰極的前后順序布置實現(xiàn)的。③控制好各環(huán)節(jié)的工藝性能及參數(shù)。如適合的本底真空度、靶材適用的濺射功率、工藝氣體和反應氣體用量與輸入均勻性、膜層厚度等?？傊挥锌刂坪靡陨细饕蛩?，才能夠保證所開發(fā)的鍍膜PET具有穩(wěn)定的顏色、優(yōu)異的性能和耐久性。

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磁控濺射原理

濺射過程即為入射離子通過--系列碰撞進行能量和動量交換的過程。

電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與Ar原子發(fā)生碰撞，電離出大量的Ar離子和電子，電子飛向基片，在此過程中不斷和Ar原子碰撞，產(chǎn)生更多的Ar離子和電子。Ar離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜?！敬趴貫R射鍍膜設備】行業(yè)前景怎樣下列是創(chuàng)世威納為您一塊兒共享的內(nèi)容，創(chuàng)世威納廠家批發(fā)磁控濺射鍍膜機，熱烈歡迎新顧客親臨。

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