電池片的制作工藝

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PECVD

PE 目的

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

其化學反應可以簡單寫成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 PECVD 方法區(qū)別于其它 CVD 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學基團，因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進行的 CVD 過程得以在低溫下實現(xiàn)。  

基本特征

1. 薄膜沉積工藝的低溫化（ < 450 ℃ ）。

2. 節(jié)省能源，降低成本。

3. 提高產能。

4. 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減。

擴散方式

PE 設備有兩類：平板式和管式。

按反應方式分為：直接式（島津）和間接式（ Roth ＆ Rau  ）。

直接式：基片位于一個電極上，直接接觸等離子體。  

間接式：基片不接觸激發(fā)電極。 在微波激發(fā)等離子的設備里，等離子產生在反應腔之外，然后由石英管導入反應腔中。在這種設備里微波只激發(fā) NH3 ，而 SiH4 直接進入反應腔。間接 PECVD 的沉積速率比直接的要高很多，這對大規(guī)模生產尤其重要。

參數(shù)相互關系

1. 壓力與間距：壓力越大時，間距也大；因為壓力大時，刮刀與網(wǎng)板接觸的地方凸出來也多，間距小的話，硅片承受的壓力加大，碎片的概率會加大。兩個參數(shù)當中的一個改變 ,  另外一個不改 ,  就可能加大硅片碎的可能性或影響印刷質量。  

2. 印刷速度影響到產能 ,  同時也影響到印刷到硅片漿料的多少。

印刷參數(shù)的調整

1. 先把印刷速度改小，以方便在調試時能很好的觀察（如印刷速度為 50mm ) 。   完全松開鎖定螺絲，并保證刮刀和回刮刀左右的固定螺絲未鎖，能自由活動。

2. 先設定印刷間距：印刷間距以漿料能很好的印刷到硅片為宜，無粘片和虛印。 (  推薦為： 1.5 0.3)

3. 在間距定下后，設定印刷壓力。壓力由小到大慢慢加，加到在印刷時漿料能收干凈就可以。

參數(shù)的調整

4. 在壓力和間距設定好后，印刷一片看看印刷是否合格，否則再作微調。（印刷速度未改）

5. 合格后，   慢慢朝下擰鎖定螺絲，在感覺到鎖定螺絲剛碰到東西時，把鎖定螺絲鎖住。這個動作相當于找到了一個刮膠下降的一個限位，保證刮刀在壓力加大時不會再下壓。

6. 然后加快印刷速度，并測印刷重量，如過大，則減速，過小，則加速。（推薦 170mm ) 。

電池片區(qū)別

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電池片差別 

太陽電池開始面世的是單晶硅太陽電池。硅是宇宙上極豐富多彩的這種原素，基本上滿地常有硅的存有，百口莫辯取之不竭，用硅來生產制造太陽電池，原材料可以說不缺?？墒翘釤挸鏊鼌s不易，因此大家在生產制造單晶硅太陽電池的一起，又科學研究了多晶硅太陽電池和非晶硅太陽電池，迄今商業(yè)服務經營規(guī)模生產制造的太陽電池，都還沒跳出來硅的系列產品。我覺得能夠生產制造太陽電池的半導體器件許多，隨之原材料工業(yè)生產的發(fā)展趨勢、太陽電池的種類將很多?，F(xiàn)階段已開展科學研究和研發(fā)的太陽電池，除硅系列產品外，也有硫化鎘、砷化鎵、銅銦硒等很多種類的太陽電池，不勝枚舉，下列詳細介紹幾類較普遍的太陽電池。歸類單晶硅太陽電池。