在厚膜導體漿料中，除了粒度合適的金屬粉或金屬有機化合物外，還有粒度和形狀都適宜的玻璃粉或金屬氧化物，以及懸浮固體微粒的有機載體。玻璃可把金屬粉牢固地粘結在基片上，形成厚膜導體。常用無堿玻璃，如硼硅鉛玻璃。

  厚膜電阻是厚膜集成電路中發(fā)展最早、制造水平一種厚膜元件，可以制造各種電阻。對厚膜電阻的主要要求是電阻率大、阻值溫度系數(shù)小、穩(wěn)定性好。

  與導體漿料相同,電阻漿料也有三種成分：導體、玻璃和載體。但是，它的導體通常不是金屬元素，而是金屬元素的化合物，或者是金屬元素與其氧化物的復合物。常用的漿料有鉑基、釕基和鈀基電阻漿料。

  厚膜介質用來制造微型厚膜電容器。對它的基本要求是介電常數(shù)大、損耗角正切值小、絕緣電阻大、耐壓高、穩(wěn)定可靠。介質漿料是由低熔玻璃和陶瓷粉粒均勻地懸浮于有機載體中而制成的。常用的陶瓷是鋇、鍶、鈣的鈦酸鹽陶瓷。改變玻璃和陶瓷的相對含量或者陶瓷的成分，可以得到具有各種性能的介質厚膜，以滿足制造各種厚膜電容器的需要。

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  厚膜絕緣用作多層布線和交叉線的絕緣層。對它的要求是絕緣電阻高、介電常數(shù)小，并且線膨脹系數(shù)能與其他膜層相匹配。

?體;color:black;mso-font-kerning:0pt'> 對于1/8W以上的功率電阻，結構形式如圖5：

在絕緣漿料中常用的固體粉粒是無堿玻璃和陶瓷粉粒。

微型電容器的極板對導電薄膜的要求略有不同，常用鋁或鉭作電容器的下極板，鋁或金作上極板。

　　對電阻薄膜的主要要求是膜電阻范圍寬、溫度系數(shù)小和穩(wěn)定性能好。最常用的是鉻硅系和鉭基系。在鉻硅系中有鎳-鉻(Ni-Cr)、鉻-鈷(Cr-Co)、鎳-鉻-硅(Ni-Cr-Si)、鉻-硅(Cr-Si)、鉻-氧化硅(Cr-SiO)、鎳鉻-二氧化硅（NiCr－SiO2）。屬于鉭基系的有鉭(Ta)、氮化鉭(Ta2N)、鉭-鋁-氮(Ta－Al－N)、鉭-硅(Ta-Si)、鉭-氧-氮(Ta-O-N)、鉭-硅-氧(Ta-Si-O)等。

　　對介質薄膜要求介電常數(shù)大、介電強度高、損耗角正切值小,用得最多的仍是硅系和鉭系。即氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氧化鉭(Ta2O5)和它們的雙層復合結構：Ta2O5-SiO和Ta2O5-SiO2。有時還用氧化釔(Y2O3)，氧化鉿(HfO2)和鈦酸鋇(BaTiO3)等。

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　　為了減小薄膜網(wǎng)路中的寄生效應，絕緣薄膜的介電常數(shù)應該很小,因而采用氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氮化硼(BN)、氮化鋁(AlN)、氮化硅 (Si3N4)等，適合于微波電路。

發(fā)動機發(fā)生爆震時，爆震傳感器把發(fā)動機的機械振動轉變?yōu)樾盘栯妷核椭罞CU。ECU根據(jù)其內部事先儲存的點火及其他數(shù)據(jù)，及時計算修正點火提前角，去調整點火時間，防止爆震的發(fā)生。

   爆震傳感器也有多種類型。常見的有壓電式和瓷質伸縮式兩大類。其中壓電式共振型傳感器應用最多，它一般安裝在發(fā)動機機體上部，利用壓電效應把爆震時產生的機械振動轉變?yōu)樾盘栯妷?。當產生爆震時的振動頻率（約6000Hz左右）與壓電效應傳感器自身的固有頻率一致時，即產生共振現(xiàn)象。這時傳感器會輸出一個很高的爆震信號電壓送至ECU，ECU及時修正點火時間，避免爆震的產生

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