電源模塊的相關(guān)介紹

電源模塊并聯(lián)異常有啟動異常、輸出短路、輸出無法均流、模塊燒毀等，模塊并聯(lián)無法均流一般從結(jié)構(gòu)上和輸出特性分析。IGBT在零電壓條件下關(guān)斷，同樣也能減小關(guān)斷損耗，但是MOSFET在零電流條件下開通時(shí)，并不能減小容性開通損耗。若倆個模塊的參數(shù)完全相同時(shí)（較大輸出電壓和輸出阻抗，負(fù)載特性曲線重合），則能實(shí)現(xiàn)負(fù)載電流均勻分配。但在實(shí)際應(yīng)用中，在模塊電壓相同情況下，每個模塊的輸出阻抗是不一樣的，輸出電壓細(xì)微的差別都將影響著輸出電流的變化。所以一般輸出不均流的主要原因都是輸出電壓和阻抗不一樣。

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模塊電源輸出電壓的調(diào)節(jié)

對有TRIM或ADJ(可調(diào)節(jié))輸出引腳的模塊電源產(chǎn)品，可通過電阻或電位器對輸出電壓進(jìn)行一定范圍內(nèi)的調(diào)節(jié)，一般調(diào)節(jié)范圍為±10%。

對TRIM輸出引腳，將電位器的中心與TRIM相連，在所有 S、－S管腳的模塊中，其他兩端分別接 S、－S。圖2所示的電流波形(Q和Q2on)不是很規(guī)則的梯形，但是我們的操作自由度也就更大，因?yàn)閷?dǎo)體電流的過渡相對較慢，所以可以應(yīng)用HenryOtt經(jīng)典著作《電子系統(tǒng)中的噪聲降低技術(shù)》中的公式1。沒有 S、－S時(shí)，將兩端分別接到相應(yīng)主路的輸出正負(fù)極( S接 Vin，－S接－Vin)，然后調(diào)節(jié)電位器即可。電位器的阻值一般選用5～10kΩ比較合適。

對ADJ輸出引腳，分為輸入邊調(diào)節(jié)與輸出邊調(diào)節(jié)。輸出邊調(diào)節(jié)與TRIM引腳的調(diào)節(jié)方式一樣。輸入邊調(diào)節(jié)只能上調(diào)輸出電壓，此時(shí)將電位器的其中一端與中心相接，另一端接輸入端的地。

諧波系列的電磁干擾幅度受Q1和Q2的通斷影響。相比分立式，調(diào)試更加簡單安全，使設(shè)計(jì)應(yīng)用大大簡化，縮短開發(fā)時(shí)間。在測量漏源電壓VDS的上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf，或流經(jīng)Q1和Q2的電流上升率di/dt 時(shí)，可以很明顯看到這一點(diǎn)。這也表示，我們可以很簡單地通過減緩Q1或Q2的通斷速度來降低電磁干擾水平。事實(shí)正是如此，延長開關(guān)時(shí)間的確對頻率高于 f=1/πtr的諧波有很大影響。不過，此時(shí)必須在增加散熱和降低損耗間進(jìn)行折中。盡管如此，對這些參數(shù)加以控制仍是一個好方法，它有助于在電磁干擾和熱性能間取得平衡。具體可以通過增加一個小阻值電阻(通常小于5Ω)實(shí)現(xiàn)，該電阻與Q1和Q2的柵極串聯(lián)即可控制tr和tf，你也可以給柵極電阻串聯(lián)一個 “關(guān)斷二極管”來獨(dú)立控制過渡時(shí)間tr或tf(見圖3)。這其實(shí)是一個迭代過程，甚至連經(jīng)驗(yàn)豐富的電源設(shè)計(jì)人員都使用這種方法。我們的終目標(biāo)是通過放慢晶體管的通斷速度，使電磁干擾降低至可接受的水平，同時(shí)保證其溫度足夠低以確保穩(wěn)定性。