影響離子束刻蝕的因素

影響刻蝕效果的因素很多，還有諸如離子刻蝕的二次效應、光刻膠掩模圖形的形狀和厚度、源靶距效應、離子刻蝕弓起的材料損傷及溫度效應等。

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離子束刻蝕常見的效應

刻蝕的理想結(jié)果是將掩模(mask)的圖形準確地轉(zhuǎn)移到基片_上，尺寸沒有變化。由于物理濺射的存在，掩模本身的不陡直和濺射產(chǎn)額隨離子束入射角變化等原因，產(chǎn)生了刻面( Faceting)、槽底開溝(Trenching or Ditching) 和再沉積等現(xiàn)象，這些效應的存在降低了圖形轉(zhuǎn)移精度。

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離子束刻蝕機

加速1器從離子源獲得的離子束的能量一般從幾百電子伏到幾萬電子伏。因為用高引出電壓方式獲得較高能量的離子束受到擊穿的限制，所以必須使離子在電場和磁場中加速,這類裝置叫做加1速器(見粒子加1速器)使用各種加1速器可以使離子獲得很高的能量（如幾百吉電子伏），也可以使離子減速，以獲得能量較低的（如幾十電子伏）但流強很高的離子束。

離子束刻蝕

離子束刻蝕是利用具有一定能量的離子轟擊材料表面，使材料原子發(fā)生濺射，從而達到刻蝕目的.把Ar、Kr或Xe之類惰性氣體充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進入工作室，射向固體表面撞擊固體表面原子，使材料原子發(fā)生濺射，達到刻蝕目的，屬純物理過程。