將納米氮化鈦添加到TiN/Al2O3復(fù)相納米陶瓷中，通過各種方法（如機(jī)械混合法）等將其混合均勻，得到的這種含有納米氮化鈦顆粒的陶瓷材料內(nèi)部便形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。這種材料可作為電子元件應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)中。

（6）在鎂碳磚中添加一定量的TiN，能夠使鎂碳磚的抗渣侵蝕性得到很大程度的提高。

（7）氮化鈦是一種優(yōu)良的結(jié)構(gòu)材料，可用于噴汽推進(jìn)器以及火箭等。在軸承和密封環(huán)領(lǐng)域也多用氮化鈦合金，凸顯了氮化鈦優(yōu)異的應(yīng)用效果。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

隨著高科技及新興工業(yè)發(fā)展，物理氣相沉積技術(shù)出現(xiàn)了不少新的先進(jìn)的亮點(diǎn)，如多弧離子鍍與磁控濺射兼容技術(shù)，大型矩形長弧靶和濺射靶，非平衡磁控濺射靶，孿生靶技術(shù)，帶狀泡沫多弧沉積卷繞鍍層技術(shù)，條狀纖維織物卷繞鍍層技術(shù)等，使用的鍍層成套設(shè)備，向計(jì)算機(jī)全自動，大型化工業(yè)規(guī)模方向發(fā)展。第二節(jié)真空蒸鍍(一)真空蒸鍍原理(1)真空蒸鍍是在真空條件下，將鍍料加熱并蒸發(fā)，使大量的原子、分子氣化并離開液體鍍料或離開固體鍍料表面(升華)。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

在ji小空間的電流密度極高，弧斑尺寸ji小，估計(jì)約為1μm～100μm，電流密度高達(dá)l05A／cm2～107A／cm2。每個弧斑存在極短時(shí)間，爆發(fā)性地蒸發(fā)離化陰極改正點(diǎn)處的鍍料，蒸發(fā)離化后的金屬離子，在陰極表面也會產(chǎn)生新的弧斑，許多弧斑不斷產(chǎn)生和消失，所以又稱多弧蒸發(fā)。zui早設(shè)計(jì)的等離子體jia速器型多弧蒸發(fā)離化源，是在陰極背后配置磁場，使蒸發(fā)后的離子獲得霍爾(hall)jia速xiao應(yīng)，有利于離子增大能量轟擊量體，采用這種電弧蒸發(fā)離化源鍍膜，離化率較高，所以又稱為電弧等離子體鍍膜。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制