全球氦氣緊張狀況,特種氣體是光電子、微電子等領域

全球氦氣緊張狀況，特種氣體是光電子、微電子等領域，特別是超大規(guī)模集成電路、液晶顯示器件、非晶硅薄膜太陽能電池、半導體發(fā)光器件和半導體材料制造過程不可缺少的基礎性支撐源材料。它的純度和潔凈度直接影響到光電子、微電子元器件的質量、集成度、特定技術指標和成品率，并從根本上制約著電路和器件的性和準確性。半導體照明是正處于方興未艾的產業(yè)，隨著化合物半導體市場的擴展，特種氣體的需求呈現更大的增長，外延生長需要大量的超純源和過程氣體。

瓶內高速噴出的氣體將由氣瓶內氣體的性質決定而帶來嚴峻的二次事

如果在轉移、儲存、使用過程中，由于損傷不慎，氣瓶的跌倒、掉落、滾動或受到其他硬物的碰擊，易呈現瓶閥接頭與瓶頸銜接處齊根開裂的情況。瓶頸或瓶閥開裂的后果，形成瓶內的高壓氣體失掉操控，使高壓的氣體噴出，其反作用力使氣瓶向反方向猛沖，能使機器設備、建筑物受到損壞，甚至形成人員傷亡，瓶內高速噴出的氣體將由氣瓶內氣體的性質決定而帶來嚴峻的二次事故(如火災、、等)。如瓶內充裝是可燃氣體，由于高速噴射的激烈摩擦而產生的靜電或遇其他火源便可引起燃燒。

無色無臭無味無毒的惰性氣體

分子式：N2性質：純度大于99.999%。無色無臭無味無毒的惰性氣體。相對密度ds(21.1℃，空氣=1)0.967。氣體密度1.153kg/m3(21.1℃，101.3kPa)；液體密度808.5kg/m3(-195.8℃，101.3kPa)。相對分子質量28.013熔點63.15K，-210℃，-346oF沸點，28.013臨界溫度126.1K，-147.05℃，-232.69oF臨界壓力3.4MPa，33.94bar，33.5atm，492.26psia臨界體積90.1cm3/mol臨界密度0.3109g/cm3臨界壓縮系數0.292偏心因子0.040液體刻密度。

氧弧焊接以氧和二氧化碳二元混合氣體為保護氣的電弧焊

氧弧焊接可以焊接硅鋼。氧弧焊接以氧和二氧化碳二元混合氣體為保護氣的電弧焊，氧的比例高過20% 60%。切削加工中吹氧，可以提高加工精度。以高速具切削碳鋼時，以0.2-0.8MPa壓力的氧氣噴射，與采用超硬刀削效果一樣。在鑄造壓力澆輕金屬時，在壓模中充入氧氣，鑄件不產生氣孔，質量會提高。其原因是，高純氧氣會與液態(tài)金屬發(fā)生反應而形成硬的氧化顆粒，這些顆粒是浮在金屬內，從而使鑄件不產生氣孔。這種鑄件的強度可提高30%，相對延伸率可增加1倍。