低壓無功動態(tài)補(bǔ)償裝置采用大功率晶閘管投切開關(guān)，控制器可根據(jù)系統(tǒng)電壓，無功功率、兩相準(zhǔn)則控制晶閘管開關(guān)對多級電容組進(jìn)行快速投切。晶閘管開關(guān)采用過零觸發(fā)方式，可實(shí)現(xiàn)電容器無涌流無沖擊投入，達(dá)到穩(wěn)定系統(tǒng)電壓、補(bǔ)償電網(wǎng)無功、改善功率因數(shù)、提高變壓器承載能力的目的?？蓮V泛應(yīng)用于電力、冶金、石油、港口、化工、建材等工礦企業(yè)及小區(qū)配電系統(tǒng)。

在工業(yè)、制造業(yè)工廠的配電系統(tǒng)中，經(jīng)常會用到低壓電容補(bǔ)償柜。通常低壓電容補(bǔ)償柜是由電力電容器、電抗器、避雷器、斷路器、功率因數(shù)自動補(bǔ)償控制裝置、隔離開關(guān)、熱繼電器、盤面儀表等元件構(gòu)成。

低壓電容補(bǔ)償柜在電力系統(tǒng)中，主要是利用低壓電力電容器起到無功補(bǔ)償?shù)淖饔?，以此提升功率因?shù)、改善電能質(zhì)量環(huán)境。補(bǔ)償柜作用是：電流超前電壓九十度，利用電容器的并聯(lián)來提升線路電壓，降低無功損耗。

電容補(bǔ)償柜故障的常見原因

1．電容補(bǔ)償柜設(shè)計、工藝方面

(1) 設(shè)計場強(qiáng)過高。為了降低成本，取得較高的經(jīng)濟(jì)效益，電容補(bǔ)償柜生產(chǎn)廠家設(shè)計的場強(qiáng)普遍偏高，場強(qiáng)過高是電容補(bǔ)償柜損壞的一個重要原因。

(2) 對損壞電容補(bǔ)償柜進(jìn)行解剖發(fā)現(xiàn)，元件中部存在沒有浸透的現(xiàn)象。

(3) 電流密度過大。電容補(bǔ)償柜元件并聯(lián)數(shù)量較少，造成元件引線片電流密度較大，從而引起局部過熱。另外，芯子引出線截面較小，加上套管接線頭與連線的壓接方式不到位，接觸電阻較大，在長期工作電流下發(fā)生過熱，造成引出線與套管接線頭的錫焊層熔化，產(chǎn)生滲油現(xiàn)象，導(dǎo)致電容補(bǔ)償柜的密封遭到破壞。

(4) 電容補(bǔ)償柜設(shè)有配備單臺熔絲，或配有熔絲但熔絲特性(安秒特性)太差。當(dāng)電容補(bǔ)償柜內(nèi)部元件嚴(yán)重?fù)舸┊a(chǎn)生故障電流時。熔絲不能及時熔斷，同時，有效的繼電保護(hù)措施未跟上，過電流使電容補(bǔ)償柜內(nèi)部的溫度急劇上升，導(dǎo)致電容補(bǔ)償柜脹裂或。

(5) 產(chǎn)源質(zhì)量差。油紙絕緣沒在嚴(yán)格的真空下干燥和浸漬處理、在長期工作電壓下，內(nèi)部殘存的氣泡產(chǎn)生局部放電現(xiàn)象。局部放電進(jìn)一步導(dǎo)致絕緣損傷和老化。溫升也隨之增加，終導(dǎo)致元件電化學(xué)擊穿，電容補(bǔ)償柜損壞。

電容器的保護(hù)

1)檢查供電側(cè)的用電質(zhì)量，確認(rèn)是否在可接受的范圍之內(nèi)(Y-THD<3％，I-THD<10％)，如果超出范圍，建議使用有解諧的電容補(bǔ)償柜(例如使用7％的電抗器)來防止系統(tǒng)電容產(chǎn)生共振，諧波的抑制可以有效的延長電容的壽命。

2)選擇熔斷器隔離開關(guān)代替空氣開關(guān)，電容投切可以采用可控硅與交流接觸器相結(jié)合的復(fù)合 開關(guān)，可以有效的降低電容投入時的涌流和電容斷開時接觸器的拉弧 。

3)電容補(bǔ)償柜組應(yīng)該留出30％~40％的余量，內(nèi)部電纜應(yīng)適當(dāng)放大，并且必須是阻燃電纜，控制電線也必須是阻燃的。

4)在控制線路設(shè)計中，應(yīng)采用以單片機(jī)為基礎(chǔ)的控制器，按負(fù)荷側(cè)有功、無功的值取樣，進(jìn)行分析計算，自動識別工作電容器和備用電容器，發(fā)出指令，自動循環(huán)選擇不同的電容器進(jìn) 行投切，使每個電容的運(yùn)行時間大致相同，延長電容器的使用壽命。控制器同時還具有電容 回路過壓，過流等保護(hù)功能。