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肖特基二極管是以其發(fā)明人華特?肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管。

從誕生之初，肖特基二極管就注定了其不平凡的一生，從低頻到高頻，從高損耗到低損耗，肖特基二極管在其發(fā)展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世紀延續(xù)了這個不平凡，將高頻率低耗損環(huán)保節(jié)能的產(chǎn)品引入并發(fā)展！

在金屬內(nèi)部和半導(dǎo)體導(dǎo)帶相對應(yīng)的分能級上，電子密度小于半導(dǎo)體導(dǎo)帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會從半導(dǎo)體向金屬擴散，從而使金屬帶上負電荷，半導(dǎo)體帶正電荷。由于金屬是理想的導(dǎo)體，負電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內(nèi)。而對于N型半導(dǎo)體來說，失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。

接下來我們將一起看一下ASEMI肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管、快恢復(fù)二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關(guān)二極管的性能比較。

在頻率上，肖特基二極管大于超快恢復(fù)二極管大于快恢復(fù)二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關(guān)二極管；

在電流范圍上，肖特基二極管大于超快恢復(fù)二極管大于快恢復(fù)二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關(guān)二極管；

在耐壓限制范圍上，肖特基二極管小于超快恢復(fù)二極管小于快恢復(fù)二極管小于硅高頻整流二極管小于硅高速開關(guān)二極管；

由表可見，硅高速開關(guān)二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。

MURF1060CT 強元芯ASEMI核芯動力 快恢復(fù)實力彰顯！

采用了臺灣健鼎的一體化測試設(shè)備，減少人工操作環(huán)節(jié)，同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數(shù)經(jīng)過6道檢測。更是打破業(yè)界測試標(biāo)準(zhǔn)，將漏電流有5uA加嚴到2uA以內(nèi)；正向壓降Vf由1.0V加嚴到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內(nèi)。其采用俄羅斯進口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩(wěn)定，可信賴度佳。