反應(yīng)性離子刻蝕

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反應(yīng)性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導(dǎo)體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護(hù)膜時，利用反應(yīng)性氣體的離子束，切斷保護(hù)膜物質(zhì)的化學(xué)鍵，使之產(chǎn)生低分子物質(zhì)，揮發(fā)或游離出板面，這樣的方法稱為反應(yīng)性離子刻蝕。

離子束刻蝕機(jī)

離子束刻蝕是從工件上去除材料，是一個撞擊濺射過程。

當(dāng)離子束轟擊工件，入射離子與靶原子碰撞時將動能傳遞給靶原子，使其獲得的能量超過原，子的結(jié)合能，導(dǎo)致靶原子發(fā)生濺射，從工件表，面濺射出來，以達(dá)到刻蝕的目的。

刻蝕加工時，對離子入射能量、束流大小、離子入射角度以及工作室壓力都需要根據(jù)不同的加工需求進(jìn)行調(diào)整。

離子束刻蝕可以在加工、表面拋光、石英晶體諧振器制作等方面得到應(yīng)用。

離子束刻蝕是通過物理濺射功能進(jìn)行加工的離子銑。國內(nèi)應(yīng)用廣泛的雙柵考夫曼刻蝕機(jī)通常由屏柵和加速柵組成離子光學(xué)系統(tǒng)，其工作臺可以方便地調(diào)整傾角，使碲鎘gong基片法線與離子束的入射方向成θ角，并繞自身的法線旋轉(zhuǎn)，如圖1所示。評價溝槽輪廓主要的參數(shù)有溝槽的開口寬度We、溝槽的刻蝕深度H、臺面的坡度角φ和溝槽底部的寬度Wb。我們常用的深寬比（Aspectratio）是指槽深H和槽開口寬度We的比值，本文中用R表示。深寬比是常用來作為衡量刻蝕工藝水平和刻蝕圖形好壞的評價參數(shù)。