LED芯片制造工序中，哪些工序?qū)ζ涔怆娦阅苡斜容^重要的影響?

一般來說，LED外延生產(chǎn)完成之后她的主要電性能已定型，LED芯片制造不對其產(chǎn)甞核本性改變，但在鍍膜、合金化過程中不恰當(dāng)?shù)臈l件會造成一些電參數(shù)的不良。

比如說合金化溫度偏低或偏高都會造成歐姆接觸不良，歐姆接觸不良是芯片制造中造成正向壓降VF偏高的主要原因。

在切割后，如果對芯片邊緣進(jìn)行一些腐蝕工藝，對改善芯片的反向漏電會有較好的幫助。

這是因?yàn)橛媒饎偸拜喌镀懈詈?，芯片邊緣會殘留較多的碎屑粉末，這些如果粘在LED芯片的PN結(jié)處就會造成漏電，甚至?xí)袚舸┈F(xiàn)象。

另外，如果芯片表面光刻膠剝離不干凈，將會造成正面焊線難與虛焊等情況。

如果是背面也會造成壓降偏高。在芯片生產(chǎn)過程中通過表面粗化、劃成倒梯形結(jié)構(gòu)等辦法可以提高光強(qiáng)。

在LED芯片制作過程中，把一些有缺陷的或者電極有磨損的芯片，分撿出來，這些就是后面的散晶，此時(shí)在藍(lán)膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片。

剛才談到在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數(shù)測試，對于不符合相關(guān)要求的晶圓片作另外處理，這些晶圓片是不能直接用來做LED方片，也就不做任何分檢了，直接賣給客戶了，也就是目前市場上的LED大圓片(但是大圓片里也有好東西，如方片)。

LED制作流程分為兩大部分。

首先在襯低上制作氮化家(GaN)基的外延片，這個(gè)過程主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延爐中完成的。

準(zhǔn)備好制作GaN基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。

常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。

MOCVD是利用氣相反應(yīng)物(前驅(qū)物)及Ⅲ族的有機(jī)金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進(jìn)行反應(yīng)，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。

通過控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等品質(zhì)。

MOCVD外延爐是制作LED外延片蕞常用的設(shè)備。

外延片與晶圓的關(guān)系

分子束外延法屬于物理氣相沉積PVD里的真空蒸發(fā)法的一種，廣泛用于制造各種光集成器件和各種超晶格結(jié)構(gòu)薄膜。

芯片制造全部工藝的成品叫做晶圓wafer，前道工藝流程中的一個(gè)環(huán)節(jié)是薄膜沉積，也就是真空鍍膜，分子束外延就是薄膜沉積的一種方法，在裸硅片（或者其他襯底）上利用分子束外延法鍍上多層薄膜，形成該芯片所需要的結(jié)構(gòu)，用分子束外延法制作出來的已經(jīng)完成鍍膜的半成品就是外延片，外延片再經(jīng)過光刻、刻蝕、清洗、離子注入等工藝環(huán)節(jié)，再經(jīng)過打線、Bonder、FCB、BGA植球、檢測等后道工藝形成的成品就是晶圓wafer。