離子束刻蝕

離子束刻蝕也稱為離子銑，是指當定向高能離子向固體靶撞擊時,能量從入射離子轉移到固體表面原子上，如果固體表面原子間結合能低于入射離子能量時，固體表面原子就會被移開或從表面上被除掉。通常離子束刻蝕所用的離子來自惰性氣體。離子束較小直徑約10nm，離子束刻蝕的結構較小可能不會小于10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達100nm以下，少的達到10nm，獲得較小線寬12nm的加工結果。相比電子與固體相互作用，離子在固體中的散射效應較小，并能以較快的直寫速度進行小于50nm的刻蝕，故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術的另一優(yōu)點是在計算機控制下的無掩膜注入，甚至無顯影刻蝕，直接制造各種納米器件結構。但是，在離子束加工過程中，損傷問題比較突出，且離子束加工精度還不容易控制，控制精度也不夠高。

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刻蝕過程

普通的刻蝕過程大致如下：先在表面涂敷一層光致抗蝕劑，然后透過掩模對抗蝕劑層進行選擇性曝光，由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同，經(jīng)過顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形，以此為掩模就可對襯底表面進行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質(zhì)或金屬層，則選擇腐蝕以后，圖形就轉移到介質(zhì)或金屬層上。

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離子束刻蝕機

離子束刻蝕是利用離子束直接轟擊工件，將工件上的材料濺射出來，實現(xiàn)材料去除的目的。離子束刻蝕是純物理刻蝕過程，在各種常規(guī)刻蝕方法中具有分辨率較高、陡直性較好的特點。應用于在基板表面拋光或材料的去除，尤其適用于金屬材料薄膜的刻蝕，如Cu、Au、Pt、Ti、Ni、niCr等。

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