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我公司從事機(jī)關(guān)及企事業(yè)單位淘汰報(bào)廢電子電器產(chǎn)品和各類生產(chǎn)性電子廢料及帶有電子器件的其他物件的收集、回收廢電子元件,廢電子元件回收,廢線路板回收蘇州電子芯片,蘇州回收手機(jī)排線,手機(jī)板回收,廢舊電容器回收,電解電容回收,蘇州電子元器件,蘇州顯示屏回收及綜合利用等。究其原因主要是BGA器件焊接點(diǎn)的測(cè)試相當(dāng)困難,不容易保證其質(zhì)量和可靠性。
故障特點(diǎn) /電子元器件
電器設(shè)備內(nèi)部的電子元器件雖然數(shù)量,但其故障卻是有規(guī)律可循的。
半導(dǎo)體器件損壞特點(diǎn)
二、三極管的損壞是PN結(jié)擊穿或開路,其中以擊穿短路居多。此外還有兩種損壞表現(xiàn):一是熱穩(wěn)定性變差,表現(xiàn)為開機(jī)時(shí)正常,工作一段時(shí)間后,發(fā)生軟擊穿;BGA封裝技術(shù)主要適用于PC芯片組、微處理器/控制器、ASIC、門陣、存儲(chǔ)器、DSP、PDA、PLD等器件的封裝。另一種是PN結(jié)的特性變差,用萬(wàn)用表R×1k測(cè),各PN結(jié)均正常,但上機(jī)后不能正常工作,用R×10或R×1低量程檔測(cè),就會(huì)發(fā)現(xiàn)其PN結(jié)正向阻值比正常值大。測(cè)量二、三極管可以用指針萬(wàn)用表在路測(cè)量,較準(zhǔn)確的方法是:將萬(wàn)用表置R×10或R×1檔(用R×10檔,不明顯時(shí)再用R×1檔)在路測(cè)二、三極管的PN結(jié)正、反向電阻,正向電阻不太大(正常值),反向電阻足夠大(正向值),表明該P(yáng)N結(jié)正常,反之就值得懷疑,需焊下后再測(cè)。這是電路的二、三極管外圍電阻大多在幾百、幾千歐,用萬(wàn)用表低阻值檔在路測(cè)量,可以基本忽略外圍電阻對(duì)PN結(jié)電阻的影響。
我公司從事機(jī)關(guān)及企事業(yè)單位淘汰報(bào)廢電子電器產(chǎn)品和各類生產(chǎn)性電子廢料及帶有電子器件的其他物件的收集、回收廢電子元件,廢電子元件回收,廢線路板回收蘇州電子芯片,蘇州回收手機(jī)排線,手機(jī)板回收,廢舊電容器回收,電解電容回收,蘇州電子元器件,蘇州顯示屏回收及綜合利用等。B注意:測(cè)試時(shí),特別是在測(cè)幾十kΩ以上阻值的電阻時(shí),手不要觸及表筆和電阻的導(dǎo)電部分。
檢測(cè)方法/電子元器件
中周變壓器的檢測(cè)
A 將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1擋,按照中周變壓器的各繞組引腳排列規(guī)律,逐一檢查各繞組的通斷情況,進(jìn)而判斷其是否正常。
B 檢測(cè)絕緣性能 將萬(wàn)用表置于R×10k擋,做如下幾種狀態(tài)測(cè)試:
(1)初級(jí)繞組與次級(jí)繞組之間的電阻值;
(2)初級(jí)繞組與外殼之間的電阻值;
(3)次級(jí)繞組與外殼之間的電阻值。
上述測(cè)試結(jié)果分出現(xiàn)三種情況:
(1)阻值為無(wú)窮大:正常;
(2)阻值為零:有短路性故障;
(3)阻值小于無(wú)窮大,但大于零:有漏電性故障。
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SMT技術(shù)進(jìn)入90年代以來,走向了成熟的階段,但隨著電子產(chǎn)品向便據(jù)式/小型化、網(wǎng)絡(luò)化和多媒體化方向的迅速發(fā)展,對(duì)電子組裝技術(shù)提出了更高的要求,新的高密度組裝技術(shù)不斷涌現(xiàn),其中BGA(Ball Grid Array球柵陣列封裝)就是一項(xiàng)已經(jīng)進(jìn)入實(shí)用化階段的高密度組裝技術(shù)。本文試圖就BGA器件的組裝特點(diǎn)以及焊點(diǎn)的質(zhì)量控制作一介紹。如前面所敘,電子測(cè)試能夠確定斷路現(xiàn)象的存在,但是不能區(qū)別:這是由于焊盤污染所引起的呢。
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BGA技術(shù)的研究始于60年代,早被美國(guó)IBM公司采用,但一直到90年代初,BGA 才真正進(jìn)入實(shí)用化的階段。
在80年代,人們對(duì)電子電路小型化和I/O引線數(shù)提出了更高的要求。雖然SMT使電路組裝具有輕、薄、短、小的特點(diǎn),對(duì)于具有高引線數(shù)的精細(xì)間距器件的引線間距以及引線共平面度也提出了更為嚴(yán)格的要求,但是由于受到加工精度、可生產(chǎn)性、成本和組裝工藝的制約,一般認(rèn)為QFP(Quad Flat Pack 方型扁平封裝)器件間距的極限為0.3mm,這就大大限制了高密度組裝的發(fā) 展。另外,由于精細(xì)間距QFP器件對(duì)組裝工藝要求嚴(yán)格,使其應(yīng)用受到了限制,為此美國(guó)一些公 司就把注意力放在開發(fā)和應(yīng)用比QFP器件更優(yōu)越的BGA器件上。采用X射線裝置,在焊盤層焊料的圖象是“陰影”,這是由于在焊接點(diǎn)焊料處在它上方的緣故。