真空鍍鈦是指在真空的環(huán)境下，采用弧光放電，把陰極鈦靶作為蒸發(fā)源，通過鈦靶與陽極機(jī)體之間的弧光放電，使鈦靶材蒸發(fā)并形成離子體，產(chǎn)生的離子體高速向產(chǎn)品上運(yùn)動，在產(chǎn)品表面進(jìn)行沉積，形成了鈦膜層。因?yàn)樵阱兡み^程中，真空系統(tǒng)必需要工作穩(wěn)定，爐體保壓要好，如果在鍍膜過程中有雜氣摻入，顏色就會不理想，嚴(yán)重的還會脫鈦。要想鍍出堅(jiān)固的鈦層，首先要有好的設(shè)備。因?yàn)樵阱兡み^程中，真空系統(tǒng)必需要工作穩(wěn)定，爐體保壓要好，如果在鍍膜過程中有雜氣摻入，顏色就會不理想，嚴(yán)重的還會脫鈦。

電子束蒸發(fā)鍍膜

利用高速電子束加熱使材料汽化蒸發(fā)，在基片表面凝結(jié)成膜的技術(shù)。電子束熱源的能量密度可達(dá)104-109w/cm2，可達(dá)到3000℃以上，可蒸發(fā)高熔點(diǎn)的金屬或介電材料如鎢、鉬、鍺、SiO2、AL2O3等。

電子束加熱的蒸鍍源有直槍型電子槍和e型電子槍兩種(也有環(huán)行)，電子束自源發(fā)出，用磁場線圈使電子束聚焦和偏轉(zhuǎn)，對膜料進(jìn)行轟擊和加熱。

直流二級離子鍍，是穩(wěn)定的輝光放電；空心陰極離子鍍與熱絲弧離子鍍，是熱弧光放電，產(chǎn)生電子的原因均可簡單概括為金屬材料由于被加熱到很高的溫度，導(dǎo)致核外電子的熱發(fā)射；陰極電弧離子鍍的放電類型與前面幾種離子鍍的放電類型均不相同，它采用的是冷弧光放電。面對這些嚴(yán)格要求，傳統(tǒng)的零件加工辦法和表面處理技術(shù)已經(jīng)達(dá)不到標(biāo)準(zhǔn)。在眾多離子鍍膜技術(shù)中陰極電弧離子鍍可謂是其中的集大成者，其目前已經(jīng)逐步發(fā)展為硬質(zhì)薄膜領(lǐng)域的主力。

受到電場力的吸引，接下來氮的陽離子會向飛向陰極即靶材附近，而電子則會飛向引弧針，但是由于離子的質(zhì)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電子，因此在受到相同電場力的情況下，電子的移動距離會大于陽離子的移動距離，于是當(dāng)電子到達(dá)陽極時，離子將不會到達(dá)陰極靶面，而是在距離靶面較近的位置處富集，形成正離子堆積層，陽離子與陰極靶面的距離很小，可達(dá)微米級。而離子鍍則能均勻地繞鍍到零件的背面和內(nèi)孔中，帶電離子則好比坐上了直升飛機(jī)，能夠沿著規(guī)定的航線飛抵其活動半徑范圍內(nèi)的任何地方。根據(jù)E=U/d，可知此時空間中的電場強(qiáng)度極高，這種極強(qiáng)的電場會把靶材中的電子“扯”出來。